- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров
Тип роботи:
Дис. д-ра техн. наук
Рік:
2004
Артикул:
25770 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Получение и исследование эпитаксиальных структур полупроводник-фианит
- Технология элементной базы защитных устройств для радиолокаторов сверхвысоких частот
- Метод химического осаждения из растворов для создания активных и изолирующих диэлектрических слоев интегральных схем
- Повышение однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера
- Получение тонких пленок Y Ba2Cu3O6+6 для устройств твердотельной электроники
- Слоистые структуры на основе бактериородопсина: получение, строение и применение для элементов устройств обработки информации
- Химико-механическое полирование монокристаллов ZnO, NiSb, Cu и цилиндрических подложек Si
- Получение и исследование свойств наногетерогенных структур на основе системы вольфрам-углерод
- Синтез и исследование лазерных кристаллов Mg2SiO4:Cr с контролируемым валентным состоянием и структурной локализацией ионов хрома
- Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений A^III B^V современной точности обработки