- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние дефектности структуры на электрофизические свойства термоэлектрических материалов на основе халькогенидов Bi и Sb, полученных методом вертикальной направленной кристаллизации и экструзии
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
340669 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии
- Метод химического осаждения из растворов для создания активных и изолирующих диэлектрических слоев интегральных схем
- Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента
- Пленочные структуры оксидов переходных металлов: технология, контроль, оборудование
- Механизмы переноса носителей заряда в солнечных батареях на основе a-Si:H и его сплавов И c-Si
- Исследование влияния неточности изготовления на дополнительные аберрации магнитных быстродействующих отклоняющих систем и квадрупольных линз
- Разработка процесса получения ВТСП пленок для устройств функциональной электроники
- Разработка и исследование процессов формирования фоторезистивных пленок на подложках некруглой формы
- Градиентная жидкофазная кристаллизация твердых растворов PbSnTe/PbTe с применением системы цифровой обработки сигналов
- Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников