- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние дефектности структуры на электрофизические свойства термоэлектрических материалов на основе халькогенидов Bi и Sb, полученных методом вертикальной направленной кристаллизации и экструзии
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
340669 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Применение математического моделирования для анализа процессов теплообмена при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского в промышленных установках
- Материаловедческие основы технологии получения термоэлектрических модулей из слитков твердых растворов Bi2 Te3-Bi2 Se3 и Bi2 Te3-Sb2 Te3 большого диаметра
- Получение слоев кремния методом термомиграции в нестационарных температурных условиях
- Защитные тонкопленочные покрытия на основе нитридов элементов III и IV групп периодической системы (Получение, свойства и применение)
- Технология создания радиационно-окрашенных лазерных кристаллов LiF с агрегированными центрами окраски
- Исследование кристаллогенезиса полупроводников A III B V из висмутсодержащих расплавов : На примере InSbBi, AlInSbBi
- Экспериментальное определение тонких механизмов поглощения водорода титаном для расширения номенклатуры эксплуатационных характеристик пористых геттеров
- Формирование многокомпонентных твердых растворов GaSb<Bi> и GaInSb<Bi> для инжекционных излучателей ИК-диапазона
- Феноменологическое моделирование процессов осаждения нитридов алюминия и галлия из газовой фазы
- Технология получения тонкопленочных структур для оптоэлектроники на основе опытной установки ионно-лучевого осаждения