- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние дефектности структуры на электрофизические свойства термоэлектрических материалов на основе халькогенидов Bi и Sb, полученных методом вертикальной направленной кристаллизации и экструзии
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
340669 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb
- Усовершенствование и унификация базовой имплантационной технологии фотодиодов из антимонида индия
- Разработка и исследование гетероструктур InP/InGaAsP для систем волоконно-оптических линий связи и промышленной технологии их производства
- Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si
- Исследование импульсных разрядов атмосферного давления и разработка оборудования для создания бактерицидной защиты технологических сред и изделий РЭА
- Метод химического осаждения из растворов для создания активных и изолирующих диэлектрических слоев интегральных схем
- Научное и технологическое обеспечение нанесения упрочняющих наноразмерных тонкопленочных покрытий для изделий электронной техники
- Разработка процесса получения ВТСП пленок для устройств функциональной электроники
- Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si
- Моделирование процесса пленкообразования на стадиях предварительной разработки оборудования электронной техники