- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Технология создания радиационно-окрашенных лазерных кристаллов LiF с агрегированными центрами окраски
Тип роботи:
Дис. канд. техн. наук
Рік:
2005
Артикул:
25758 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Химико-механическое полирование монокристаллов ZnO, NiSb, Cu и цилиндрических подложек Si
- Управление рельефом поверхности самоупорядоченных глобулярных микроструктур для изделий электронной техники
- Получение и исследование эпитаксиальных структур полупроводник-фианит
- Оптические и электрофизические свойства тонких нанострктурных пленок Sn-O-In, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
- Гетероструктуры InSb_1-x Bi_x/InSb и GaSb_1-x Bi_x/GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
- Физико-технологические основы пленочных термоэлектрических преобразователей измерительного назначения
- Разработка и исследование методов и средств повышения технического уровня элементной базы вакуумного электронно-зондового и ионно-лучевого оборудования микроэлектроники
- Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
- Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии
- Получение твердых растворов GalnAsP на подложках пористого фосфида индия