- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Гетероструктуры InSb_1-x Bi_x/InSb и GaSb_1-x Bi_x/GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
Тип роботи:
технология получения и свойства
Рік:
2003
Артикул:
25797 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb
- Технология, фазовый состав, тонкая структура и свойства фотоситаллов и алюмооксидной керамики
- Выращивание многокомпонентных твердых растворов соединений А3 В5 в области термодинамической неустойчивости методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
- Выращивание и некоторые свойства кристаллов розового фосфорсодежащего кварца
- Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии
- Получение и исследование крупных монокристаллов синтетического алмаза для применения в полупроводниковой технике
- Разработка и исследование методов и средств повышения технического уровня элементной базы вакуумных систем и эксплуатационных характеристик промышленного оборудования тонкопленочных технологий
- Получение и исследование высокоиндукционных магнитодиэлектрических материалов и радиокомпонентов на их основе
- Разработка технологического метода повышения эксплуатационных показателей нелинейных преобразователей спектра радиосигналов путем применения AlGaAs гетероструктур
- Модифицированные составы и ресурсосберегающие процессы получения Mn-Zn-ферритов для высокочастотных силовых трансформаторов