- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Гетероструктуры InSb_1-x Bi_x/InSb и GaSb_1-x Bi_x/GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
Тип роботи:
технология получения и свойства
Рік:
2003
Артикул:
25797 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Разработка и исследование волоконно-оптических датчиков влажности газов
- Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии
- Исследование наклонноконденсированных пленочных материалов для термоэлектрических преобразователей лазерного излучения
- Разработка технологии изготовления термоэлектрических материалов из субмикронных и нанопорошков сплавов теллурида висмута для создания высокоэффективных твердотельных преобразователей энергии
- Кристаллизация стекол в системах Bi2O3-SiO2 и Bi2O3-GeO2
- Технология структур карбид кремния - кремний для приборов микроэлектроники и микросистемной техники
- Усовершенствование и унификация базовой имплантационной технологии фотодиодов из антимонида индия
- Разработка реактора эпитаксиального наращивания одиночных подложек и исследование в нем теплофизических и физико-механических процессов
- Получение профилированных монокристаллов карбида кремния методами сублимации и электрической эрозии
- Фазовые равновесия в системах Cd-Te, Zn-Se-Cr, Zn-Se-Co