- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Гетероструктуры InSb_1-x Bi_x/InSb и GaSb_1-x Bi_x/GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
Тип работы:
технология получения и свойства
Год:
2003
Артикул:
25797 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Получение слоев кремния методом термомиграции в нестационарных температурных условиях
- Получение и исследование высокоиндукционных магнитодиэлектрических материалов и радиокомпонентов на их основе
- Стеклообразование и кристаллизация стекол в системах боратов редкоземельных элементов
- Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Разработка технологии изготовления термоэлектрических материалов из субмикронных и нанопорошков сплавов теллурида висмута для создания высокоэффективных твердотельных преобразователей энергии
- Основы формально-эвристического проектирования вакуумного оборудования электронной техники
- Оптимизация активных элементов датчиков, использующих эффект гигантского комбинационного рассеяния
- Разработка и исследование процесса и оборудования низкотемпературного испарения влагосодержащих веществ в вакууме
- Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента
- Научные основы управления процессами трибодесорбции газов в узлах трения механизмов сверхвысоковакуумного оборудования электронной техники и нанотехнологий