СОДЕРЖАНИЕ
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. Применение молекулярнолучевой эпитаксии для создания новых типов приборных гетероструктур микроэлектроники
1.1. Введение.
1.2. Структуры типа кремнийнадиэлектрике
1.2.1. Выбор материалов для формирования диэлектрических слоев
1.3. Выбор материала для формирования проводящих слоев
1.4. Создание многослойных приборных гетероструктур
1.4.1. Новые приборные гетероструктуры с использованием комбинаций полупроводник диэлектрикметалл
1.4.2. Структуры 1СаР2 для КНД транзисторов и КМОП ИС
1.4.3. Детекторы электромагнитных и ионизирующих излучений
1.4.4. Транзисторы с баллистическим переносом носителей
1.5. Требования к аналитическим методам
1.6. Основные выводы
1.7. Выбор направления работ
ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
2.1. Аппаратура для формирования многослойных гетероструктур
2.1.1. Технологическая система сверхвысокого вакуума для МЛЭ
2.1.2. Загрузочный реактор для УФ обработки
2.2. Технический подход и методы исследования
2.2.1. Аппаратура и методы микроэлементного анализа
2.2.1.1. Метод электронной Ожеспектроскопии ОЭС
2.2.1.2. Массспектроскопия
2.2.2. Аппаратура и методы микроструктурного анализа
2.2.3. Прочие электрофизические методы
2.3. Базовые технологические процессы
2.4. Подг отовка поверхности подложек
2.4.1. Ионноплазменная очистка поверхности
2.4.2. Химикотермическая очистка поверхности Б
2.4.3. Подготовка и чистка поверхности СаГ
2.5. Основные выводы к Главе
ГЛАВА 3. РОСТ И СТРУКТУРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР
3.1. Дисилицид кобальта на 0Б
3.2. Фторид кальция на 0Б
3.3. Кремний на 0 СаР
3.4. Дисилицид кобатьта на 0СаГ
3.5. Гетероструктуры кремнийфторид кальциякремний
3.6. Гетероструктуры кремнийсилицид кобальта кремний
3.7. Гетероструктуры БГСоБЬСаБг
3.8. Основные выводы к Главе
ГЛАВА 4. МОДИФИКАЦИЯ электрофизических ПАРАМЕТРОВ гетероструктур
4.1. Электронностимулированная модификация электрофизических параметров гетероструктур СаГ2
4.2. Изменение оптических свойств гетероструктур СаГ2Б1 при электронном облучении
4.3. Управление высотой барьера Шоттки эпитаксиальных силицидов на кремнии
4.4. Формирование упорядоченной структуры микропроколов СоБ 0Б
4.5. Основные выводы к Главе
ГЛАВА 5. ПЕРСПЕКТИВНЫЕ УСТРОЙСТВА МИКРО И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР
5.1 Транзисторные КПД структуры на основе слоев i2i
5.2. Структуры КНД КМОП ИС на основе i2i
5.2.1. Структуры КНД КМОП ИС на основе i2i с кольцевым затвором
5.3. Гетероэпитаксиальные детекторы ионизирующих излучений на основе структур 2i2i
5.3.1. Разновидности конструкции детекторов ионизирующих излучений
5.3.2. Матрица детекторов ионизирующих излучений
5.4. Фото и гамма детекторы с внутренним отражающим слоем
5.5. Применение структур ii2i для создания баллистических транзисторов
5.5.1. Применение структур ii2i для создания транзисторов с с проницаемой базой ТПБ
5.5.2. Применение структур ii2i для создания транзисторов с металлической базой
5.6. Основные выводы к Главе 5
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Основные результаты диссертационной работы
Научная новизна теоретических положений и результатов экспериментальных исследований, полученных автором
Методы исследования, достоверность и обоснованность результатов диссертационной работы
Практическая и научная полезность результатов диссертационной работы
Внедрение результатов работы
Апробация работы
Благодарности
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922