Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра

Оглавление
Введение.Т.
Глава I. Литературный обзор. Особенности дефектообразования в монокристаллах АШВУЧ
1.1. Введение
1.2. Кристаллическая структура и дефекты в монокристаллах
1.2.1. Кристаллография решетки сфалерита..
1.2.2. Точечные дефекты и их кластеры.4.
1.2.3. ДислокацииУ.
1.2.4. Скольжение и переползание дислокаций.А.
1.3. Особенности формирования дислокационной структуры в монокристаллах арсенида и фосфида галлия.7.3.
1.4. Взаимодействие примесей с дислокациями в монокристаллах
ашву.3.
1.4.1. Распределение точечных дефектов и примесей вокруг дислокаций.л
1.4.2. Возникновение дефектов в процессе выращивания монокристаллов арсенида галлия
1.4.3. Микродефекты в монокристаллах арсенида галлия, выращенных из расплавов с резким отклонением от стехиометрии. м.
1.5. Выводы и постановка задачил.
Глава П. Изучение дефектов структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия, выращенных методом Чохральскогол.
П.1. Методы исследования структурного совершенства
монокристаллов арсенида и фосфида галлия
П. 1.1. Металлографические методы контроля.
П.1.2. Метод фотоупругоста
П. 1.3. Метод микротвердости
П. 1.4. Метод прецизионного измерения периода решетки.
П.1.5. Метод интегральной фотолюминесценции
П.2. Получение промышленных кристаллов АШВУ на примере
фосфида галлия
Ц.2.1. Синтез фосфида галлия
П.2.2. Рост монокристаллов фосфида галлия
П.З. Результаты исследований
П.3.1. Полуизолирующий арсенид галлия
П.3.2. Арсенид галлия, легированный кремнием
П.3.3. Фосфид галлия, легированный серой
П.4. Выводы по главе П
Глава Ш. Исследование влияния условий выращивания на процессы
формирования дислокационной структуры в монокристаллах арсенида и
фосфида галлия 7ог
III. 1. Формирование формы фронта кристаллизации в процессе
роста монокристаллов арсенида и фосфида галлия
Ш.2. Влияние отклонения диаметра от его номинала в процессе
роста на распределение плотности дислокаций в монокристаллах
арсенида и фосфида галлия
П1.3. Влияние формы и угла разращивания верхнего конуса на
структурное совершенство монокристаллов арсенида и фосфида
галлия
Ш.4. Совершенствование технологии получения промышленных
монокристаллов арсенида и фосфида галлия диаметром
,5 мм0 мм
Щ.4.1. Исследование причин двойникования и
поликристаплического роста в монокристаллах
арсенида и фосфида галди я7.
Ш.4.2. Разработка способов снижения плотности дислокаций
в монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого
диаметра7М.
Ш.4.3. Разработка способов снижения внутренних
напряжений в монокристаллах фосфида галлия
Ш.5. Выводы по главе III.7.9.9.
Глава IV. Исследование влияния концентрации легирующей примеси на структурное совершенство монокристаллов арсенида и фосфида
галлия.л.
IV. 1. Изучение особенностей поведения кремния в арсениде
IV.2. Изучение особенностей поведения серы в фосфиде галлия. 77.
ГУ.З. Выводы по главе IV
Выводы7, Т.
Список литературы