ВВЕДЕНИЕ
1. ВОЗМОЖНОСТЬ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА ПРИ ЕГО РАСПЫЛЕНИИ
1.1. Ионноэлектронная эмиссия
1.2. Методы регистрации сигнала ионноэлектронной эмиссии
1.2.1. Метод наведенного тока
1.2.2. Метод объемного коллектора
1.3. Составляющие сигнала вторичной ионной эмиссии
1.4. Заключение и постановка задачи
2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ И ПРИМЕНЯЕМОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
2.1. Разработка элементов оборудования для исследования вторичной ионноэлектронной эмиссии с поверхности твердого тела при ионнолучевом травлении ИЛТ
2.2. Разработка метода регистрации тока вторичных электронов с поверхности твердого тела для разных технологических задач при ИЛТ немоноэнергетическим пучком ионов
2.2.1. Разработка узла регистрации вторичных электронов ВЭ
2.2.2. Методика определения средней энергии ионов от источника с холодным катодом
2.2.3. Методика определения качественной и количественной составляющей информативного сигнала
2.2.4. Методика определения оптимального потенциала приемника электронов для регистрации тока ВЭ
2.3. Ошибка измерений тока ВЭ
2.4. Заключение
3. УТОЧНЕНИЕ МОДЕЛИ ВЫХОДА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ
3.1. Статистика электронов в металлах и полупроводниках
3.2. Энергия возбуждения электронов при иеупругих
атомных столкновениях
3.3. Вероятность выхода электронов
3.4. Доля регистрируемых вторичных электронов
3.5. Определение тока вторичных электронов
3.6. Особенности влияния температуры на выход ВЭ
3.7. Основные результаты моделирования и сравнение с другими моделями и экспериментальными данными
3.7.1. Зависимость коэффициента ионноэлектронной эмиссии КИЭЭ от энергии ионов
3.7.2. Зависимость КИЭЭ металлов от атомного номера мишени
3.7.3. Сравнение теорий и эксперимента
3.7.4. Зависимость КИЭЭ полупроводников от ширины запрещенной зоны
3.7.5. Зависимость тока вторичных электронов от сорта бомбардирующего иона
3.8. Заключение
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТОКА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ ОТ ОБРАБАТЫВАЕМОЙ ПОВЕРХНОСТИ
4.1. Исследование возможности получения сигнала ионноэлектронной эмиссии в условиях технологического процесса ИЛТ для диагностики поверхности твердого тела
4.2. Закономерности изменения тока вторичных электронов от времени травления многослойных структур
4.3. Особенности влияния электропроводимости мишени на ионноэлектронную эмиссию с поверхности в результате ИЛГ полупроводниковых материалов
4.4. Зависимость сигнала ионноэлектронной эмиссии основных полупроводников от параметров технологического процесса
4.5. Влияние ширины запрещенной зоны полупроводников на эмиссию вторичных электронов с поверхности
4.6. Влияние плотности потока ионов на коэффициент ионноэлектронной эмиссии
4.7. Зависимость интенсивности сигнала ионноэлектронной эмиссии основных металлов от параметров технологического процесса
4.8. Заключение
5. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ИОННОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ ДЛЯ КОНТРОЛЯ ИОННОЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОИСТЫХ ГЕТЕРОКОМПОЗИЦИЙ
5.1. Ионноэлектронная эмиссия от пленочных гетероструктур
5.2. Закономерности изменения эмиссионного тока вторичных электронов при смене слоев травления гетероструктур
5.3. Получение топологии ПАВэлементов на основе ЫЫЬОз с одновременным электронноэмиссионным контролем
5.4. Формирование контактов полевого транзистора на основе йаАз с использованием электронноэмиссионного контроля
5.5. Создание диодных структур на основе карбида кремния
с использованием электронноэмиссионного контроля
5.6. Заключение
ОБЩЕЕ ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ОБЩИЕ ВЫВОДЫ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
- Київ+380960830922