Ви є тут

Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия для преобразователя-генератора импульсов света

Автор: 

Образцов Андрей Александрович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2001

Кількість сторінок: 

121

Артикул:

1000313667

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений AIIIBV современной точности обработки
• Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации
• Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии
• Исследование и разработка методов защиты поверхности кремниевых фотодиодов с применением ионной имплантации
• Получение и исследование свойств углеродных наноматериалов и нанокристаллов широкозонных полупроводников
• Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ
• Разработка и исследование методов и средств повышения технического уровня элементной базы вакуумных систем и эксплуатационных характеристик промышленного оборудования тонкопленочных технологий
• Исследование влияния сорбата остаточных газов на работоспособность элементов вакуумного технологического оборудования
• Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента
• Исследование конструктивно-технологических особенностей проектирования высокоизбирательных фильтров на поверхностных акустических волнах в условиях крупносерийного производства