Вы здесь

Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия для преобразователя-генератора импульсов света

Автор: 

Образцов Андрей Александрович

Тип работы: 

кандидатская

Год: 

2001

Количество страниц: 

121

Артикул:

1000313667

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Разработка автоматизированного элионного технологического оборудования для производства изделий микрофотоэлектроники
• Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb
• Разработка основ технологии получения нанокомпозита FeNi3/C на основе полиакрилонитрила, FeCl3×6H2O и NiCl2×6H2O под действием ИК нагрева
• Технология пленок Ленгмюра-Блоджетт жесткоцепных полиимидов для устройств микросистемной техники
• Исследование импульсных разрядов атмосферного давления и разработка оборудования для создания бактерицидной защиты технологических сред и изделий РЭА
• Формирование упорядоченных упаковок наносфер SiO2 и применение структур на их основе в функциональной электронике
• Разработка тонкопленочных сорбентов и микроэлектронных химических сенсоров на их основе для контроля содержания вредных и токсичных газов в атмосфере
• Разработка активных и пассивных материалов для приборов неразрушающего контроля узлов и агрегатов АЭС
• Защитные тонкопленочные покрытия на основе нитридов элементов III и IV групп периодической системы (Получение, свойства и применение)
• Сверхпроводниковые и сегнетоэлектрические перовскитные пленочные структуры в СВЧ микроэлектронике