Метод химического осаждения из растворов для создания активных и изолирующих диэлектрических слоев интегральных схем

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
1. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СЛОИ В ТЕХНОЛОГИИ ИС.
1.1. Сегнетоэлекгрические ТОНКИЕ ПЛЕНКИ в ТЕХЮЛОГИИ ИС.
1.1.1. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства.
1.1.2. Сегистоэлектрические запоминающие устройства. Технология формирования.
1.1.3. Методы химического осаждения га растворов для формирования СЗУ
1.2. ИЗОЛИРУЮЩИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СЛОИ МНОГОУРОВНЕВЫХ СИСТЕМ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИС.
1.2.1. Особенности современных многоуровневых систем металлизации ИС.
1.2.2. Требования к юолирующгш диэлектрическим слоям ИС
1 2.3. Методы формирования изолирующих диэлектрических спаев многоуровневой разводки ИС.
1.2.4. Методы химического осаждения из растворов для формирования изолирующих слоев с низкой диэлектрической проницаемостью
. ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1.
2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ.
2.1. МЕТОДЫ 1ЮРМИЮВЛИЯ СЕП1ЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ Т1КИХ ПЛБ1ЮК.
2.1.1. Приготовление ипснкообразующих растворов
2.1.2. Формирование тонких пленок ЦТС
2.2. Методы формирования изолирующих диэлектрических слоев
2.2.1. Приготовление крсмнийоргалических пченкообразующих растворов
2.2.2. Формирование тонких изолирующих пленок
2.3. Методики измерез 1Ий.
2.3.1. Из.меритспьное оборудование.
2.3.2. Определение паразитных параметров.
2.3.3. Методика измерения диэлектрической проницаемости изолирующих слоев на
полупроводниковых подложках.
2.3.4. Методика казибровки ртутного зонда
2.3.5. Измерение паралгетров петспь диэлекгпричсского гистерезиса
2.3.6. Определение толщины, показателя прсюмления и усадки пленок методом эллипсометрии.
2.3.7. Определение требований к структуре ггспытусмых образцов при измерении ВФХ пористых пленок
2.4. ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2.
3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ЦТС
3.1. Исследование влияния методики синтеза исходных растворов на микроструктуру пленок
3.2. Исследование влияния методики синтеза исходных растворов на электрофизические
свойства пленок ТС
3.3. Исследование влияния температуры кристаллизации на микроструктуру пленок ЦТС .
3.4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ЦТС
3.5. ФОРМИРОВАНИЕ тестовых ЭЛЕМЕНТОВ СЗУ А ОСНОВЕ ПЛЕНОК ЦТС В УСЛОВИЯХ ПРОИЗВОДСТВА ИС .
3.6. Выводы К ГЛАВЕ 3
4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ПОРИСТЫХ СИЛИКАТНЫХ СЛОЕВ.
4.1. Исследование влияния состава пленкообразующих растворов и температуры обработки НА ПОКАЗАТЕЛЬРЕЛОМЛЕНИЯ, УСАДКУ И ПОРИСТОСТЬ СИЛИКАТНЫХ 1ЛЕЮК.
4.2. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ СОСТАВА ПЛЕНКООБРАЗУЮЩИХ РАСТВОРОВ И ТЕМПЕРАТУРЫ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИЛИКАТНЫХ ПЛЕНОК.
4.3. ФОРМИРОВАНИЕ ПОРИСТЫХ ИЗОЛИРУЮЩИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ НА ТЕСТОВЫХ ПЛАСТИНАХ С ЭЛЕМЕНТАМИ МЕТАЛЛИЗА1ДИОННОЙ СИТЕМЫ ИС
4.4. ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ