Ви є тут

Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии

Автор: 

Сергеева Ж. М.

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

1994

Кількість сторінок: 

193

Артикул:

233287

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Получение слоев металлов и полупроводников сублимацией в ультратонком вакуумном промежутке
• Исследование влияния неточности изготовления на дополнительные аберрации магнитных быстродействующих отклоняющих систем и квадрупольных линз
• Термические характеристики и стабильность тонких пленок на основе a-Si:H и его сплавов и халькогенидных полупроводников системы Ge-Sb-Te
• Получение гетероструктур на основе германия и арсенида индия для термофотоэлектрических преобразователей
• Разработка неразрушающих методов контроля ионно-плазменных процессов формирования тонкопленочных структур и элементов оборудования для создания устройств электронной техники
• Синтез и исследование лазерных кристаллов Mg2SiO4:Cr с контролируемым валентным состоянием и структурной локализацией ионов хрома
• Технологические основы разработки композиционных эмиттеров вторичных электронов для вакуумных изделий электронной техники
• Разработка и применение методов моделирования в технологиях выращивания монокристаллов из расплава
• Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si
• Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского