Ви є тут

Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии

Автор: 

Сергеева Ж. М.

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

1994

Кількість сторінок: 

193

Артикул:

233287

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Синтез и исследование лазерных кристаллов Mg2SiO4:Cr с контролируемым валентным состоянием и структурной локализацией ионов хрома
• Технология изготовления и исследование одночастотных полупроводниковых лазеров с волоконно-брэгговской решеткой
• Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия
• Синтез и исследование стекловидных диэлектрических материалов и пленок на их основе, полученных золь-гель методом
• Исследование кристаллогенезиса полупроводников A^III B^V из висмутсодержащих расплавов (На примере InSbBi, AlInSbBi)
• Каталитические и газораспределительные слои для создания источников тока
• Голографическая диагностика газофазных процессов микроэлектроники
• Синтез, структура и свойства кристаллов ZrO2, частично стабилизированных Y2O3
• Иерархически организованные пористые газочувствительные слои системы SnO2-SiO2, полученные золь-гель методом
• Исследоввание процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния