СОДЕРЖАНИЕ
Введение.
1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ.
1.1. Термофотоэлектрические генераторы.
1.1.1. Принцип работы и основные компоненты системы.
1.1.2. Материалы и структуры для ТФЭ элементов
1.2. Методы получения эпитаксиальных слоев соединений АЗВ5.
1.3. Жидкофазная эпитаксия слоев соединений АЗВ
на подложках Ое.
1.4. Твердые растворы ГпАвБЬР и Са1пАБ8ЬР
на подложках арсенида индия.
1.5.Моделирование процессов получения слоев многокомпонентных твердых растворов методом ЖФЭ
1.5.1. Расчет основных параметров твердых растворов.
1.5.2. Ограничения на получение твердых растворов.
1.5.3. Фазовые равновесия в многокомпонентных системах
1.5.4. Влияние кристаллографической ориентации подложки на состав эпитаксиальных слоев
1.6. Постановка задачи исследования
Выводы.
2. РАСЧЕТ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ И ДИАГРАММ СОСТОЯНИЯ
МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ГЕТЕРОСИСТЕМ АЗВ5
2.1 .Определение основных электрофизических параметров многокомпонентных твердых растворов ЫАбБЬР и ОаЫАьБЬР
в зависимости от состава
2.2. Расчет и анализ когерентной диаграммы состояния четверной
системы ТпАэБЬР
2.3. Фазовые равновесия в пятикомпонентной системе СаЬзАэЗЬР на основе арсенида индия.
2.4. Влияние межфазной поверхностной энергии границы раздела кристаллрасплав на состав твердых растворов.
3. ПОЛУЧЕНИЕ МЕТОДОМ ЖФЭ Э1ШТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
3.1.Получение гетероструктур СаАБве методом быстрого охлаждения растворарасплава.
3.2.Выращивание слоев твердых растворов пАбЗЬР с заданными параметрами.
3.3.Получение пятикомпонентных твердых растворов Оа1пАБ8ЬР
3.4. Особенности кристаллизации многокомпонентных
твердых растворов на основе 1пАб.
Выводы.
4. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ И
ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ.
4.1.Определение основных характеристик слоев ваАБ на подложке
германия методом Рамановской спектроскопии.
4.2. Рентгеноструктурные исследования многокомпонентных твердых растворов на основе арсенида индия
4.3. Фотолюминисценция твердых растворов пАбБЬР и СапАзБЬР
4.4. Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетсроструктур СаАБве и 1пАб8ЬР1пАб.
Общие выводы работы
Литература
- Київ+380960830922