Ви є тут

Исследование и оптимизация процесса реактивно-ионного травления углублений в кремнии для формирования мелкощелевой изоляции

Автор: 
Данилкин Евгений Викторович
Тип роботи: 
диссертация кандидата технических наук
Рік: 
2008
Кількість сторінок: 
166
Артикул:
25708
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие.
Глава 1 Введение Роль щелевых структур в изготовлении МОП транзисторов.
1.1 Процесс изготовления мелкощелевой изоляции.
1.1.1 Формирование нитридной маски.
1.1.2 Травление слоев и формирование канавки
1.1.3 Верхние углы канавки и окисление поверхности.
1.1.4 Заполнение канавки.
1.1.5 Этап химикомеханической полировки.
1.2 ДМОПтранзисторы с щелелевым затвором
1.3 Методы формирования канавок в кремнии
1.3.1 Непрерывный процесс травления
1.3.2 процесс
1.3.3 Криогенный процесс.
1.4 Анализ процессов травления i для пригодности использования в
изготовлении ИС
1.5 Рассмотрение проблемы и постановка задачи
Глава 2 Анализ объемных и гетерогенных процессов в реакторе высокоплотной плазмы при травлении i
2.1 Источник проблемы прекращения травления и определяющие его
факторы.
2.1.1 Рекомбинация атомов па поверхности.
2.1.2 Эффект распыления кварцевого окна
2.1.3 Влияние состояния стенок камеры
2.1.4 Теплопроводность плазмы
2.2 Выводы.
Глава 3 Методика экспериментов.
3.1 Описание установки травления.
3.2 Описание экспериментов.
3.2.1 Исследование плазмы 22
3.2.2 Исследование эффекта прекращения травления кремния.
3.3 Методика оптимизации процесса травления канавок в
Глава 4 Определение влияния температуры кварцевого окна на концентрацию активных частиц в плазме С2
4.1 Результаты и обсуждение.
4.2 2 Влияние стен реактора на концентрацию частиц в плазме.
4.3 Выводы
Глава 5 Определение условий окисления и образования шероховатости поверхности.
5.1 Механизм низкотемпературного окисления поверхности кремния в плазме
5.1.1 Факторы, влияющие на скорость окисления
5.1.2 Критические условия для роста слоя 8Ю2
5.2 Результаты и обсуждение.
5.2.1 Зависимость размера пятна от пот ока , давления, ВЧмощносги и температуры пластины.
5.2.2 Поверхностный анализ области прекращения травления
5.2.3 Исследование состава пассивирующего слоя в центре пластины
5.2.4 1пв1ш анализ температуры и ВЧ напряжения на пластине используя сенсорные пластины ПавтаГстр и Р1азтаУо
5.3 Выводы.
Глава 6 Оптимизация процесса травления канавок в Э
6.1 Результаты и обсуждение
6.1.1 Роль добавки азота в смесь С при реактивно ионноплазменном травлении кремния
6.1.2 Оптимизированный процесс.
6.2 Выводы.
Заключение.
Основные результаты работы и выводы
Основные положения, выносимые на защиту
Приложение.
Список литературы