- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2001
Кількість сторінок:
239
Артикул:
233213 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Принципы формирования и свойства фотоэлектрических преобразователей с ультратонким поглощающим слоем
- Конструкторско-технологические основы создания микроэлектромеханических датчиков ускорения
- Влияние импульсного светового воздействия на физические свойства приповерхностных слоев полупроводников
- Получение кристаллов новых сверхпроводящих, сегнетоэлектрических и родственных фаз оксидных систем, изучение их структуры и свойств
- Технология осаждения пленок оксинитрида титана методом реактивного магнетронного распыления
- Применение кристаллохимического подхода к синтезу соединений и твердых растворов со структурой силленита
- Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников
- Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
- Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок a-Si: H и сплавов на его основе
- Тонкие пленки углерода: выращивание пучками заряженных частиц, фазообразование, строение и свойства