- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2001
Кількість сторінок:
239
Артикул:
233213 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Получение и исследование эпитаксиальных структур полупроводник-фианит
- Механизмы переноса носителей заряда в солнечных батареях на основе a-Si:H и его сплавов И c-Si
- Термические характеристики и стабильность тонких пленок на основе a-Si
- Выращивание и лазерные свойства монокристаллов лантан-скандиевого бората с редкоземельными активаторами
- Модификация эпитаксиальных слоев нитрида галлия в области дефектов роста методом периодического ионно-лучевого осаждения-распыления
- Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур
- Пленочные структуры оксидов переходных металлов: технология, контроль, оборудование
- Разработка физических принципов и создание оборудования для модификации магнитных состояний тонкопленочных слоев магнитных носителей информации
- Физические основы и принципы бесконтактного измерения параметров полупроводниковых материалов
- Разработка нанокомпозитных материалов на основе синтетических и природных полимеров и органических производных фуллерена C60 для электронной техники