Ви є тут

Получение кристаллов новых сверхпроводящих, сегнетоэлектрических и родственных фаз оксидных систем, изучение их структуры и свойств

Автор: 

Буш Александр Андреевич

Тип роботи: 

диссертация д-ра техн. наук

Рік: 

2006

Артикул:

25732

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Разработка автоматизированного элионного технологического оборудования для производства изделий микрофотоэлектроники
• Экспериментальное определение тонких механизмов поглощения водорода титаном для расширения номенклатуры эксплуатационных характеристик пористых геттеров
• Исследование кристаллогенезиса полупроводников A III B V из висмутсодержащих расплавов
• Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели
• Термические характеристики и стабильность тонких пленок на основе a-Si
• Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках цилиндрической формы
• Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства
• Фотопроводимость и плотность состояний в a-Si
• Разработка технологического метода повышения эксплуатационных показателей нелинейных преобразователей спектра радиосигналов путем применения AlGaAs гетероструктур
• Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра