Введение.
Глава 1. Литературный обзор.
1.1. Физические основы работы ртФД и влияние поверхности на их характеристики.
1.1.1 Особенности работы фотодиодов. Ю
1.1.2 Влияние поверхности на ВАХ диода.
1.1.3. Методы устранения влияния поверхности.
1.2. Влияние облучения на свойства кремния.
1.2.1 Облучение ионами В и Вр2.
1.2.2 Влияние облучения ионами азота.
1.2.3 Влияние облучения другими ионами.
1.3. Применение ионной имплантации в технологии изготовления полупроводниковых приборов.
1.3.1 Применение ИИ для формирования активных областей.
1.3.2 Применение ИИ для модификации и управления свойствами ранее сформированных структур.
1.3.3 Применение ИИ для формирования изолирующих слоев.
1.4. Выводы главы 1.
Глава 2. Методики исследований, разработка измерительных
методик и результаты исследований диффузионных планарных ртструктур.
2.1 Объект исследования
2.2 Маршрут изготовления ртфотодиодов.
2.3 Методики исследований
2.3.1 Методика измерения ВАХ ртструктур.
2.3.2 Измерение сопротивления канала.
2.3.3 Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в базе по переходным характеристикам метод Лэкса.
2.3.4 Разработка экспрессметодики измерения СУ характеристик МДПструктур.
2.3.5 Разработка методики измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда в тонких пластинах полупроводниковых кристаллов.
2.4. Результаты исследований диффузионных планарных рт структур.
2.4.1 Результаты локального и полного стравливания защитной пленки БЮ
2.4.2 Результаты изучения СУхарактеристик МДПструктур.
2.4.3 Обсуждение результатов экспериментов.
2.5. Выводы главы 2.
Глава 3. Исследование влияния топологических приемов и
имплантационного геттерирования на ВАХ диффузионных ртструктур.
3.1. Результаты формирования внешнего стопканала.
3.1.1 Внешний диффузионный стопканал.
3.1.2 Внешний имплантационный стопканал.
3.1.2.1 Внешний стопканал, сформированный низкодозовым подлегированием.
3.1.2.2 Внешний стопканал, сформированный низкодозовой двухстадийной имплантацией ионов бора.
3.1.2.3 Внешний стопканал, сформированный имплантацией средних доз ионов В через пленку
3.1.2.4 Обсуждение результатов по внешнему стопканалу.
3.2. Результаты применения комбинированного стопканала.
3.2.1. Диффузионный комбинированный стопканал.
3.2.2. Комбинированный имплантационный стопканал.
3.2.2.1 Комбинированный стопканал, сформированный
низкодозовым легированием.
3.2.2.2 Комбинированный стопканал, сформированный
имплантацией ионов В через пленку БЮг со средними дозами.
3.2.2.3 Комбинированный стопканал, сформированный
высокодозовой имплантацией ионов В через пленку 8Юг.
3.2.2.4. Обсуждение результатов по комбинированному
стопканалу.
3.3. Результаты применения имплантации ионов ВГг для геттерирования ртструктур.
3.4. Выводы главы 3
Глава 4. Результаты ионных обработок поверхности,
направленных на устранение недостатков диффузионной
технологии.
4.1. Сравнение результатов имплантации ионов К и Г4.
4.2. Имплантация ионов 1Ч2 после формирования
мезаструктуры.
4.3. Имплантация ионов Ы2 после подлегирования
приповерхностной области бором.
4.4. Результаты имплантационного геттерирования защитной
пленки 8Ю2 и фаницы раздела 8Г8Ю2.
4.5. Выводы главы 4.
Основные результаты и выводы
Список литературы
- Київ+380960830922