СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава 1 Структуры полупроводникфианит литературный
обзор
1.1. Использование фианита в микроэлектронике.
1.2. Методы получения эпитаксиальных пленок полупроводников
на фианите.
1.2.1. Метод молекулярнолучевой эпитаксии
1.2.2. Метод металлооранической газофазной эпитаксии
1.3. Получение функциональных пленок фианита
1.3.1. Метод магнетронного напыления
1.3.2. Методы электроннолучевого и лазерного напыления.
1.4. Методы исследования электрически активных дефектов
полупроводников
Глава 2 Получение и свойства эпитаксиальных пленок кремнии на
фианите и фианита на кремнии и арсениде галлии.
2.1. Установка молекулярно лучевой эпитаксии
2.2. Изготовление подложек
2.3. Влияние диффузии кислорода из фианитовой подложки на
структуру эпитаксиальных пленок кремния
2.4. Влияние условий эпитаксии на морфологию и реальную
структуру пленок кремния.
2.5. Характеристики структур кремний на фианите.
2.5.1. Концентрационные профили структур КНФ
2.5.2. Электрофизические параметры пленок кремния на фианите
2.6. Получение и структура пленок фианита на подложках кремния
и арсенида галлия
2.6.1. Магнетронное напыление фианита.
2.6.2. Лазерное и электроннолучевое напыление фианита
2.6.3. Структу рное совершенство пленок фианита на кремнии и
арсениде галлия
2.7. Основные результаты главы 2
Глава 3 Получение и исследование пленок соединений А,ИВЧ на
подложках фианита и эпитаксиальных подложках с буферными слоями фианита.
3.1. Установка МОСУО эпитаксии
3.2. Исследование условий эпитаксии ОаАв на фианите.
3.3. Особенности механизма роста пленок ОаАБ на фианите при
капиллярной эпитаксии
3.4. Примеси в пленках ЭаАз.
3.5. Получение на фианите эпитаксиальных пленок различных
соединений АШВУ и их твердых растворов.
3.6. Исследование пленок соединений АШВ методом
рентгеновской дифрактометрии
з
3.6.1. Пленки ваАя и АЮаАя, пАя и пОаЛя на фианите
3.6.2. Пленки ваЫ и СаМхАЯ.х на фианите
3.7. Получение и характеристики эпитаксиальных пленок
соединений АШВУ на подложках с буферными слоями.
3.7.1. Структурная и электрическая однородность пленок ваЛя и пваАя на подложках ваАя с буферным слоем пористого ваАя
3.7.2. Характеристики пленок ваИ на подложках ваАя с
однослойным и двухслойным буфером.
3.8. Фотоприемники на структурах полупроводник
фианит.
3.8.1. Фотодиоды с барьером Шоттки и фотосопротивления на
структурах соединений АМВУ на фианите
3.8.2. Лавинные фотоприемники на КНФ структурах.
3.8.3. Спектральные характеристики фотоприемников на структурах
соединений IIIV на фианите.
3.9. Основные результаты главы 3
Глава 4 Управляемое низкотемпературное перераспределение
примеси в кремнии под действием ионного облучения
4.1 Экспериментальное исследование образования инверсных рп
переходов в кремнии.
4.2. Модель формирования инверсных рп переходов в Б.
4.2.1. Основные предпосылки.
4.2.2. Начальная стадия снижения концентрации бора
4.2.3. Продвижение пр перехода.
4.2.4. Конечное положение пр перехода
4.2.5. Протяженная ми фация межузельного бора.
4.3. Исследование электрически активных дефектов кристаллов
кремния модифицированным методом НТ.
4.3.1. Модифицированный метод НТ в растровом электронном
микроскопе
4.3.2. Микродефекты в кристаллах кремния, выращенных в
стандартном режиме
4.3.3. Микродефекты в кристаллах кремния, выращенных в условиях
вариации скорости вытягивания.
4.3.4. Соотношение модифицированного метода НТ с другими
методами выявления микродефектов
4.4. Модели для расчета рекомбинационного контраста МД
4.4.1. Модель 1.
4.4.2. Модель 2.
4.4.3. Результаты расчета и их интерпретация.
4.5. Влияние высокотемпературного отжига на микродефекты в Б
4.5.1. Распределение микродефектов в пластинах до и после отжига
4.5.2. Сравнение экспериментальных и расчетных данных
4.6. Электрохимическая коррозия слоя металла на кремнии и
геттерирование.
4.6.1. Электрохимическая коррозия
4.6.1. Электрохимическое геттерирование
4.7. Основные результаты главы 4.
Глава 5 Приложение Гранный роет и дефектообразование при
выращивании кристаллов кремния из расплава
5.1. Обзор литературы
5.1.1. Метод Чохральского
5.1.2. Бестигельная зонная плавка
5.1.3. Неоднородности кристаллов Б1
5.1.4. Особенности внешней формы кристалла, выращиваемого из
расплава, их связь с условиями выращивания и реальной структурой.
5.1.5. Двойпиковапие при росте кристаллов из расплава
5.1.6. Устойчивость роста и стабильность расплавленной зоны
кристаллов Б1 выращиваемых методом бестигельной зонной плавки.
5.2. Влияние особенностей гранного эоста на двойникование в
кристаллах Б1 и соединений АШВ , выращиваемых из расплава
5.2.1. Двойникование в кристаллах 1пБЬ.
5.2.2. Особенности двойникования в лентах кремния при
выращивании по Степанову.
5.2.3. Структурные особенности двойниковых кристаллов
5.3. Механизмы ростового двойникования.
5.3.1. Двойникование обусловленное комплексами АПВШ
5.3.2. Двойникование при двумерном зарождении слоев. НО
5.3.3. Графоэпитаксиальный механизм двойникования
5.4. Некоторые новые способы управления двойникованием при
выращивании кристаллов из расплава.
5.5. Влияние особенностей хранения фронта кристаллизации на
устойчивость роста и стабильность расплавленной зоны кристаллов Б1 выращиваемых бестигельной зонной плавкой
5.5.1. Исследование условий стабильности расплавленной зоны
5.5.2. Нарушение бездислокационного роста
5.6. Анализ путей повышения устойчивость роста кристаллов Б1
5.7. Новые способы и устройства выращивания кристаллов Б
методом БЗП
5.8. Основные результаты главы 5.
Заключение и общие выводы
Литература
- Київ+380960830922