ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ .
ГЛАВА 1 ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
ИССЛЕДОВАНИЯ
1.1. Общая характеристика технологии получения твердых растворов в
поле температурного градиента
1.2. Свойства твердых растворов на основе антимонидов индия и галлия .
1.3. Свойства твердых растворов на основе арсенида индия
1.4. Полупроводниковые сверхрешетки на основе многокомпонентных полупроводников А3В5
1.5. Методы получения эпитаксиальных слоев, обладающих субструктурой, на основе твердых растворов А3В5
1.6. Висмутсодержащие твердые растворы в оптоэлектронике
Постановка задачи исследования
ВЫВОДЫ
ГЛАВА 2 ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ ФАЗОВЫХ
ПРЕВРАЩЕНИЙ В ИССЛЕДУЕМЫХ СИСТЕМАХ
2.1. Базовые параметры и уравнения и фазовых равновесий
2.2. Расчет упругих констант соединений с висмутом
2.3. Смещение фазовых равновесий под воздействием
упругих напряжений на гетерогранице в системах 1пБЬВ1 и ваБЬТИ
2.4. Особенности фазовых равновесий в системе Оа1пА5БЬВ1
ВЫВОДЫ .
ГЛАВА 3 ТЕХНИКА ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ И ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК С ЗАДАННОЙ СУБСТРУКТУРОЙ В УСЛОВИЯХ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ
3.1. Требования к оборудованию для проведения процессов
кристаллизации и аппаратурное оформление экспериментов по получению многокомпонентных полупроводников с заданной субструкгурой
3.2. Получение многослойных гетероструктур ЫБЬВИпБЬ и ОаБЬВГСаБЬ
в ростовом канале.
3.3. Управление геометрией растущих слоев
ВЫВОДЫ
ГЛАВА 4 ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ 1пБЬВпБЬ, ОаБЬВСаБЬ И ОэЫЛзБЬВЫпАб
4.1. Зависимость скорости кристаллизации от различных факторов
4.2. Структурное совершенство исследуемых твердых растворов.
4.3. Кристаллизация островковых пленок
4.4 Дислокационный механизм зарождения осгровковых структур
4.5. Процессы кристаллизации в системе апЛз В
ВЫВОДЫ .
ГЛАВА 5 ПРИКЛАДНЫЕ АСПЕКТЫ РАБОТЫ
5.1. Принципы контролируемого технологического воздействия на ростовую среду
5.2. Практические рекомендации по формированию полупроводниковых твердых растворов в системах аЗЬВ, пБЬВ и ОапАзВЬВ
с заданной субструктурой .
5.3. Структурные и электрофизические характеристики твердых растворов
с заданной субструктурой
5.4. Возможности применения гетероструктур на основе исследованных
систем в оптоэлекгронике
ВЫВОДЫ .
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
Список литературы
- Київ+380960830922