Ви є тут

Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах

Автор: 

Енишерлова-Вельяшева Кира Львовна

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000211692

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
• Технологические основы разработки композиционных эмиттеров вторичных электронов для вакуумных изделий электронной техники
• Технология создания плоских микромодулей для приборов бесконтактной идентификации
• Создание новых пьезоэлектрических материалов с заданными свойствами и приборов на их основе
• Разработка технологии формирования и исследование протонообменных световодных структур в конгруэнтных и легированных оксидом магния кристаллах ниобата лития
• Усовершенствование и унификация базовой имплантационной технологии фотодиодов из антимонида индия
• Исследование процессов роста и свойств многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой в системах Ga-Sb-Bi, In-Sb-Bi и Ga-In-As-Sb-Bi
• Модификация эпитаксиальных слоев нитрида галлия в области дефектов роста методом периодического ионно-лучевого осаждения-распыления
• Структурно-морфологические особенности нитрида алюминия в зависимости от условий получения
• Разработка технологии изготовления термоэлектрических материалов из субмикронных и нанопорошков сплавов теллурида висмута для создания высокоэффективных твердотельных преобразователей энергии