Ви є тут

Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах

Автор: 

Енишерлова-Вельяшева Кира Львовна

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000211692

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Материалы и процессы формирования многослойной металлизации кремниевых СБИС
• Выращивание и исследование монокристаллов молибдатов и вольфраматов кальция, стронция и бария для ВКР-лазеров
• Голографическая диагностика газофазных процессов микроэлектроники
• Разработка основ технологии получения нанокомпозита FeNi3/C на основе полиакрилонитрила, FeCl3×6H2O и NiCl2×6H2O под действием ИК нагрева
• Исследование кристаллогенезиса полупроводников A III B V из висмутсодержащих расплавов
• Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ
• Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники
• Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии
• Исследование и разработка технических норм и методик для проектирования и эксплуатации пассиковых агрегатов межоперационных транспортных систем микроэлектроники
• Технология создания плоских микромодулей для приборов бесконтактной идентификации