Вы здесь

Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах

Автор: 

Енишерлова-Вельяшева Кира Львовна

Тип работы: 

Докторская

Год: 

1998

Артикул:

1000211692

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Влияние импульсного светового воздействия на физические свойства приповерхностных слоев полупроводников
• Получение твердых растворов GalnAsP на подложках пористого фосфида индия
• Конструкторско-технологические основы создания микроэлектромеханических датчиков ускорения
• Солнечные элементы на основе аморфного гидрогенизированного кремния, полученные в низкочастотном тлеющем разряде
• Разработка, исследование и моделирование процессов изготовления интегрально-оптических элементов в кристаллах ниобата лития
• Получение и исследование эпитаксиальных структур "полупроводник-фианит"
• Моделирование кинетики испарения летучего компонента из конденсированной фазы
• Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb
• Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента
• Влияние дефектности структуры на электрофизические свойства термоэлектрических материалов на основе халькогенидов Bi и Sb, полученных методом вертикальной направленной кристаллизации и экструзии