- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование кристаллогенезиса полупроводников A III B V из висмутсодержащих расплавов
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2003
Кількість сторінок:
140
Артикул:
233135 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Получение и дилатометрическое исследование халькогенидных полупроводниковых стеклообразных материалов AsxS1-x, AsxSe1-x, GexSe1-x в широком интервале температур
- Оптимизация условий выращивания и использование третьего компонента в процессах получения совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского для СБИС
- Разработка и исследование методов и средств повышения технического уровня элементной базы вакуумного электронно-зондового и ионно-лучевого оборудования микроэлектроники
- Гетероструктуры InSb1-x Bi x /InSb и GaSb1-x Bi x /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
- Модификация электрофизических свойств пленки полиэтилентерефталата ионно-плазменным осаждением наноразмерных покрытий на основе углерода
- Эволюция межфазных границ в процессе зонной перекристаллизации в поле температурного градиента с учетом гидродинамических эффектов
- Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки
- Получение и исследование эпитаксиальных структур "полупроводник-фианит"
- Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия
- Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров