Оптимизация условий выращивания и использование третьего компонента в процессах получения совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского для СБИС

СОДЕРЖАНИЕ
1. Методы получения и свойства монокристаллов кремния для СБИС
1.1. Современные требования к однородности и совершенству кремния.
1.2. Промышленные методы выращивания монокристаллов кремния
1.3. Особенности поведения примесей кислорода и углерода в кремнии
1.4. Примеси металлов в монокристаллах кремния
1.5. Образование дефектов кристаллической структуры в процессах выращивания кремния
1.5.1. Дефектообразование в бездислокационных монокристаллах кремния
1.5.2. Микродефекты и окислительные дефекты упаковки
1.6. Особенности поведения переходных металлов IV группы в кремнии .
2. Технология выращивания и исследование свойств монокристаллов
2.1.Подготовка исходных материалов и оборудования для выращивания монокристаллов.
2.2. Технология выращивания монокристаллического кремния из расплава, содержащего примесь циркония.
2.3. Контроль электрофизических параметров кремния
2.3.1. Определение типа электропроводности, величины и однородности распределения удельного сопротивления
2.3.2. Контроль времени жизни неравновесных носителей заряда
2.3.3. Определение содержания оптически активного кислорода и
углерода
2.4. Выявление структурных дефектов в монокристаллах кремния
2.4.1. Контроль i
2.4.2. Идентификация и определение плотности окислительных дефектов упаковки
2.5. Методика изготовления и подготовки пластин кремния к испытаниям.
3. Исследование процессов теплопереноса при выращивании монокристаллов кремния
3.1. Влияние тепловых условий выращивания на совершенство монокристаллов кремния.
3.2. Методика расчета тепловых полей
3.3. Анализ распределения температуры в монокристаллах в процессе выращивания
3.4. Определение условий выращивания монокристаллов с заданным механизмом образования микродефектов.
4. Использование третьего компонента при выращивании монокристаллов кремния
4.1.Методы гетгерирования в технологии кремния
4.2.Комплексообразование в кремнии при наличии циркония,
4.3. Распределение примеси кислорода по длине и диаметру кристаллов
4.4. Влияние третьего компонента на поведение углерода при выра
щивании монокристаллов.
4.5. Влияние циркония на однородность распределения основной легирующей примеси
4.6. Особенности образования структурных дефектов в кремнии с использованием третьего компонента
Выводы
Общие выводы
Литература