Введение.
Глава 1. Современное представление о технологии формирования тонких пленок и солнечных элементов на их основе.
1.1. Методы осаждения
1.1.1. Химическое осаждение
1.1.1.1. Пульверизация с последующим пиролизом.
1.1.1.2. Химическое осаждение из паровой фазы
1.1.2. Химическое осаждение из раствора.
1.1.2.1. Зольгель метод.
1.1.2.2. Осаждение пленок из растворов.
1.1.3. Электрохимическое осаждение
1.2. Методы молекулярного наслаивания
1.2.1. Метод молекулярного наслаивания БЬАК метод
1.2.2. Формирование оксидов материалов методом молекулярного наслаивания
1.2.3. Полисульфиды
1.3. Технология формирования солнечных элементов.
1.3.1. Теория солнечных элементов.
1.3.1.1 Двух диодная модель
1.3.1.2. Основные характеристики солнечного элемента.
1.3.2. Особенности различных солнечных элементов
1.3.2.1. Кристаллические и аморфные структуры
1.3.2.2. Пассивация
1.3.2.3. Тонкопленочные технологии.
1.3.2.4. Солнечные элементы с ультратонкими поглощающими слоями
1.4. Выводы н постановка задачи на диссертационную работу
Глава 2. Методика проведения эксперимента
2.1. Формирование тонких слоев полупроводниковых материалов методом молекулярного наслаивания ЬАК
2.1.1. Процесс формирования тонких слоев полупроводниковых материалов методом ЬАЯ
2.2. Формирование тонких слоев полупроводниковых материалов в матрице пористого анодного оксида алюминия.
2.2.1. Формирование матрицы пористого анодного оксида алюминия
2.2.2. Формирование слоев полупроводникового материала в матрице пористого анодного оксида алюминия.
2.3. Формирование солнечных элементов со сверхтонким абсорбером
2.4. Методы исследования.
2.4.1. Исследование морфологии поверхности и толщины получаемых пленок методом атомносиловой микроскопии.
2.4.2. Спектроскопия упруго рассеяных ионов i i i i
2.4.3. Исследование оптическою поглощения наноструктур методом спектрофотометрии
2.4.4. Изучение оптических и фотоэлектрических характеристик тестовых структур солнечных элементов.
2.4.4.1. Поверхностное фотоЭДС
2.4.4.2. Спектроскопия фототермического отклонения.
2.4.4.3. Вольтамиерные характеристики
2.4.4.4. Квантовая эффективность.
Глава 3. Исследование кинетики формирования полупроводниковых материалов методом молекулярного наслаивания.
3.1. Исследование кинетики формирования оптическими методами.
3.1.1. Методика определения показателя преломления мембран на основе оксида алюминия
3.1.2. Методика расчета толщины осажденного слоя полупроводника
3.2. Исследование кинетики формирования методами атомносиловой микроскопии
3.2.1. Исследование морфологии поверхности методами атомносиловой микроскопии
3.3 Исследование оптических свойств материалов в зависимости от количества циклов осаждения
3.4 Выводы ио главе 3
Глава 4. Исследование влияния состава исходных растворов на свойства структур, сформированных методом молекулярного наслаивания
4.1. Влияние кислотности растворов на свойства получаемых материалов
4.2. Изменение края оптического поглощения.
4.3. анализ влияния растворов на состав получаемых пленок
4.4. Исследования содержания структурных единиц соединений индия.
4.4.1. Структурные элементы производные I23 и I
4.4.2. Исследования содержания различных структурных элементов соединений индия в формируемых пленках
4.5 Выводы по главе 4
Глава 5. Применение метода молекулярного наслаивания в технологии формирования полупроводниковых структур
5.1. Исследование стехиометрии слоев солнечных элементов
5.1.1. Влияние кислотности раствора на свойства солнечных элементов.
5.2. Разделение носителей заряда на контактах.
5.3. Влияние температуры отжига на характеристики солнечных элементов
5.4. Влияние толщины слоя абсорбера на свойства солнечных элементов
5.5. Зависимость вольтампернмх характеристик от интенсивности и температуры
5.6. Зонная диаграмма структуры солнечного элемента со сверхтонким абсорбером.
5.6.1. Зонная диаграмма структуры солнечного элемента.
5.6.2. Влияние состава раствора формирования на свойства солнечных элементов
5.6.3. Зонная диаграмма структуры солнечного элемента с буферным слоем Ix
5.7 Выводы по главе 5.
Заключение
Список использованных источников
- Київ+380960830922