ВВЕДЕНИЕ
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
ГЛАВА 1. Влияние дефектов роста на свойства пленок А1ПЫ
1.1. Основные методы роста пленок АП,Н материалов
1.2. Дефекты в пленках АШЫ материалов
1.3. Точечные дефекты и проблемы легирования
1.4. Влияние дефектов на оптические свойства нитрида галлия
1.5. Влияние дефектов на электрические свойства нитрида галлия
1.6. Атомносиловая микроскопия АРМ поверхности на различных стадиях роста пленочных гетероструктур на основе ОаЫ
1.7. Воздействие на морфологию и характеристики структур на основе в процессах травления
1.8. Омические контакты ОК крСаЫ
1.9. Электронные приборы на основе пленок АПЫ материалов
Выводы к главе
ГЛАВА 2. Применение методов ионнолучевого распыления, сканирующей элекгронной и атомносиловой микроскопии для анализа дефектов роста в СаЫ
2.1. Использование осгросфокусированного ионного пучка метод ПВ для анализа АШЫ материалов
2.2. Сравнительный анализ поперечных сечений и дефектов роста в пленках ОаЫ, полученных методами сканирующей электронной микроскопии
2.3. Ионнолучевая установка
2.4. Послойный анализ структурных особенностей плнок ваИ при ионнолучевом стравливании
2.5. Методы контроля свойств пленок
2.6 Моделирование процесса ионного облучения нитрида галлия медленными ионами
Выводы к главе
ГЛАВА 3. Эволюция рельефа поверхности эпитаксиальных слоев нитрида галлия в условиях периодического ионнолучевого осажденияраспыления
3.1. Классификация дефектов роста в Оа1Ч на основе их распределения по глубине и размерам
3.2. Процессы сглаживания поверхности и заращивания мелких дефектов при длительном распылении
3.3. Механизм заполнения областей протяженных дефектов при периодическом ионнолучевом осаждениираспылении
3.4. Роль нелокальных процессов в механизме заращивания
сквозных дефектов
3.5. Выводы к главе
ГЛАВА 4. Применение метода периодического ионнолучевого осажденияраспыления в технологии изготовления омических контактов к рслоям нитрида галлия и формирования подложек для пленочных структур слинтроники
4.1. Минимизация влияния сквозных дефектов на постростовые операции осажденияраспыления
4.2. Способ изготовления прозрачного омического контакта ВеОАиВеОрСаЫ
4.3. Технология изготовления омических контактов к ЗаЫ слоям
4.4. Подложки для структур спинтроники на основе эпитаксиальных пленок нитридных полупроводников
4.5. Получение наноразмерных сиинтронных структур СоТЮх на сглаженной поверхности ОаЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Благодарности
ЬИБИЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
Список использованных источников