- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2009
Кількість сторінок:
135
Артикул:
232857 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния
- Получение, электрофизические и термочастотные свойства сегнетопьезоэлектрических твердых растворов многокомпонентных систем
- Получение и исследование эпитаксиальных структур полупроводник-фианит
- Модифицированные составы и ресурсосберегающие процессы получения Mn-Zn-ферритов для высокочастотных силовых трансформаторов
- Синтез и исследование стекловидных диэлектрических материалов и пленок на их основе, полученных золь-гель методом
- Разработка технологических приемов получения фоточувствительных пленок на основе твердых растворов CdS1-xSex методом трафаретной печати
- Фотопроводимость и плотность состояний в a-Si: H и сплавах на его основе
- Исследование процессов, разработка и создание аппаратуры для стирания информации с носителей на основе микросхем с энергонезависимой памятью
- Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента
- Разработка методов проектирования миниатюрных низковакуумных насосов для оборудования электронной техники