- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2009
Кількість сторінок:
135
Артикул:
232857 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Солнечные элементы на основе аморфного гидрогенизированного кремния, полученные в низкочастотном тлеющем разряде
- Исследование и разработка материалов пленочных сорбентов и структур интегральных сорбционно-емкостных сенсоров для измерения влажности технологических газов микроэлектроники
- Разработка активных и пассивных материалов для приборов неразрушающего контроля узлов и агрегатов АЭС
- Оптимизация условий выращивания и использование "третьего" компонента в процессах получения совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского для СБИС
- Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров
- Электрофизические и оптоэлектронные свойства гетероструктур на основе a-Si: H и его сплавов
- Электрическое сопротивление нитевидных кристаллов кремния, выращенных по механизму ПЖК в открытой системе
- Разработка и исследование наноструктурированных поверхностей полимеров для электроники и медицины
- Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели
- Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского