- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2009
Кількість сторінок:
135
Артикул:
232857 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Разработка и исследование технологических основ создания углеродных нанотрубок методом каталитического пиролиза этанола
- Технология пленок Ленгмюра-Блоджетт жесткоцепных полиимидов для устройств микросистемной техники
- Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента
- Влияние импульсного светового воздействия на физические свойства приповерхностных слоев полупроводников
- Взаимодействие примесных атомов и собственных точечных дефектов при формировании кислородсодержащих термодоноров в бездислокационных монокристаллах кремния
- Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия
- Разработка материалов и процессов для формирования системы металлизации СБИС субмикронного уровня
- Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе
- Моделирование кинетики испарения летучего компонента из конденсированной фазы
- Разработка технологии формирования и исследование протонообменных световодных структур в конгруэнтных и легированных оксидом магния кристаллах ниобата лития