- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптимизация условий выращивания и использование "третьего" компонента в процессах получения совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского для СБИС
Тип роботи:
quot
Рік:
2003
Артикул:
25799 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование и разработка методов защиты поверхности кремниевых фотодиодов с применением ионной имплантации
- Процессы электрохимического формирования твердотельных наноструктур
- Кристаллизация твердых растворов InSbBi, AllnSbBi и AlGaInSbBi с заданным энергетическим спектром в поле температурного градиента
- Исследование процессов локально-селективной обработки материалов и элементов электронной техники наноразмерным ионным пучком
- Основы формально-эвристического проектирования вакуумного оборудования электронной техники
- Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур
- Исследование и разработка технологий создания фотоэлектродов на основе наноструктурированного оксида титана
- Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки
- Разработка и исследование процесса и оборудования низкотемпературного испарения влагосодержащих веществ в вакууме
- Исследование влияния неточности изготовления на дополнительные аберрации магнитных быстродействующих отклоняющих систем и квадрупольных линз