СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ,.
Глава 1. ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ТЕХНОЛОГИИ МИКРО, НАНО И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ.
1.1. Пористый кремний Получение, свойства и применение
1.1.1. Механизм образования пористого кремния
1.1.2. Реакции, протекающие в системе НР при анодной
поляризации
1.1.3. Многослойные и периодические структуры на основе рог.
1.1.4. Технологические проблемы, сдерживающие промышленное
применение рог в нано и оптоэлектронике
1.2. Пористый анодный оксид алюминия перспективный
наноструктурированный материал.
1.2.1. Способы создания твердотельных наноструктур
с использованием маски пористого анодного оксида алюминия
1.2.2. Создание упорядоченных ПАОА.
1.2.3. Другие области применения ПАОА
1.3. Электрохимический синтез полупроводниковых соединений.
1.4. Методы локального электрохимического наноструктурирования поверхности материалов с помощью СЗМ.
1.5. Проблемы и перспективы внедрения электрохимических
процессов в технологию нано и оптоэлектроники.
Глава 2. ФИЗИКОХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССА
АНОДНОГО ФОРМИРОВАНИЯ СЛОЕВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ
2.1. Термодинамические свойства фаницы раздела
водный раствор НР.
2.1.1. Зонная энергетическая диаграмма системы
водный раствор НР.
2.1.2. Механизм окислительновосстановительного процесса,
определяющего состояние кремниевого электрода в растворах Н
2.1.3. Начальные стадии формирования пор.
2.1.4. Экспериментальное подтверждение механизма
зарождения рогБ.
2.1.5. Термодинамическое равновесие на границе
раздела водный раствор НР.
2.1.6. Зависимость периода пористой структуры
от режимов анодирования.
2.2. Особенности кинетики формирования слоев рог.
2.2.1. Диффузионные ограничения массопереноса
в системе рогБ электролит.
2.2.2. Исследование явления изменения механизма растворения
при анодной поляризации
2.2.3. Изменение механизма растворения кремния в процессе
гальваностатического формирования пористого кремния.
2.2.4. Особенности кинетики формирования пористого кремния
в иотенциостатическом режиме.
2.3. Механизмы химических процессов, протекающих на поверхности кремниевых нанокристаллов
2.3.1. Стабилизация свойств рог в растворах НР, содержащих дополнительно НС1
2.3.2. Окисление пористого кремния в атмосферных условиях.
Диссоциативная адсорбция воды как основной механизм
естественного окисления
2.3.3. Закономерности гальванического восстановления
на поверхности рог ионов металлов из водных растворов солей.
2.4. Выводы
Глава 3. АНОДНЫЕ ОКСИДНЫЕ ПЛЕНКИ
В ТЕХНОЛОГИИ НАНОСТРУКТУР
3.1. Закономерности метода формирования наноразмерных оксидных
пленок с помощью сканирующего зондового микроскопа.
3.1.1. Модель образования анодных оксидных пленок при воздействии
зонда сканирующего зондового микроскопа
3.1.2. Экспериментальное подтверждение разработанной модели
3.1.3. Локальное формирование нанометровых оксидных областей.
3.2. Пористый анодный оксид алюминия наноструктурированная диэлектрическая матрица для формирования нанокристаллов
3.2.1. Процессы формирования нанокристаллов
на поверхности твердого тела.
3.2.2. Элекгрохимический анализ строения и кинетики
образования пористого анодною оксида алюминия
3.2.3. Механизм образования упорядоченной структуры пор
в анодном оксиде алюминия
3.3. Выводы
Глава 4. ТЕХНОЛОГИЯ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ХАЛЪКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ.
4.1. Закономерности катодного осаждения соединений АВ6
4.1.1. Катодное формирование Сб8 из водных растворов.
4.1.2. Краткое описание алгоритма расчета диаграмм рНпотенциал
4.1.3. Применение диаграмм потенциалрН доя определения
механизма катодного осаждения С.
4.1.4. Электрохимический синтез наноразмерных нитей СБ
в матрице пористого анодного оксида алюминия.
4.2. Диаграммы электрохимического равновесия других халькогенидов
металлов в водных растворах
4.2.1. Диаграмма электрохимического равновесия
системы СеН
4.2.2. Диаграмма электрохимического равновесия системы .
4.2.3. Система РЬ8еН
4.3. Общие закономерности процессов осаждения
халькогенидов металлов из водных растворов.
4.4. Некоторые технологические особенности процесса заполнения нанометровых пор анодного оксида алюминия халькогенидами металлов
4.5. Выводы.1
Глава 5. ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ РАЗРАБОТАННЫХ
процессов в технологии микро, нано
И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
5.1. Оптические волноводы на основе окисленного пористого кремния.
5.2. Применение пористого кремния в качестве носителя
переходных металлов в мембранных метановых сенсорах.
5.3. Технология изготовления фотоприемника на пористом кремнии с повышенной чувствительностью в видимом
диапазоне длин волн.
5.4. Технология изготовления несущей мембраны для газовых
сенсоров на основе окисленного пористого кремния
5.5. Анодный оксид на поверхности полу изолирующего арсенида галлия
как маскирующее покрытие для ионной имплантации.
5.6. Технология создания функциональных элементов наноэлектроники.
5.7. Выводы.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
- Київ+380960830922