- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур
Тип работы:
кандидатская
Год:
2009
Количество страниц:
135
Артикул:
232857 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Разработка материалов и процессов для формирования системы металлизации СБИС субмикронного уровня
- Разработка реактора эпитаксиального наращивания одиночных подложек и исследование в нем теплофизических и физико-механических процессов
- Исследование и разработка методов защиты поверхности кремниевых фотодиодов с применением ионной имплантации
- Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках
- Разработка основ технологии получения углеродного нанокристаллического материала и металлоуглеродных нанокомпозитов на основе полиакрилонитрила и солей металлов : Cu, Fe, Co
- Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений AIIIBV современной точности обработки
- Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки
- Разработка основ технологии новых металлоуглеродных нанокомпозитов и углеродного нанокристаллического материала под действием ИК нагрева полимеров
- Структурно-морфологические особенности нитрида алюминия в зависимости от условий получения
- Процессы формирования наноструктур на основе пористых анодных оксидов металлов