Применение математического моделирования для анализа процессов теплообмена при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского в промышленных установках

Оглавление
Введение
Глава 1. Обзор современного состояния вопроса.
1.1. Современное состояние технологии метода Чохральского для выращивания монокристаллов кремния. Характеристика ростовых процессов.
1.2. Процессы тепломассообмена при выращивании кристаллов и методы моделирования.
1.3. Исследование теплопереноса в тепловом узле.
1.4. Термонапряженное состояние в монокристаллах кремния
1.5. Расчет концентрации и распределения собственных точечных дефектов в
монокристаллах кремния
Глава 2. Методы решения и математические формулировки задач.
2.1. Основные идеи и общая структура метода конечных элементов
2.1.1. Концепция МКЭ
2.1.2. Конечные элементы
2.1.3. Базисные функции.
2.1.4. Составление уравнений конечных элементов.
2.2. Глобальная тепловая модель. Сопряженная радиационнокондуктивная модель
2.2.1. Модель кондуктштого тетоперсноса.
2.2.2. Модель радиационного теплопереноса
2.2.3. Задание сопряженных граничных условий
2.2.4. Численный метод
2.3. Локатьные тепловые модели
2.4. Модель термонапряженного состояния.
2.5. Модель образования и поведения собственных точечных дефектов.
Глава 3. Результаты исследования процессов теплообмена, напряженного состояния и взаимодействия СТД в методе Чохральского
3.1. Состояние вопроса
3.2. Анализ тепловых процессов в установке ЕЮ5.
3.3. Анализ тепловых процессов в установке Редмет. Расчет распределения
собст венных точечных дефектов
3.3.1 Теплообмен в установке Редмет. Анализ роли экранов.
3.3.2. Анализ термонапряженного состояния.
3 3.3 Анализ распределения собственных точечных дефектов
3.4. Теплообмен в установке ГК7. Расчет распределения собственных точечных дефектов
3.5. Сравнительный анализ установок ПК2 различных конструкций
3.6. Теплообмен при выращивании кремниевых труб.
3.7. Влияние конструктивных особенностей ростовых узлов на тепловые поля в
монокристаллах
Глава 4. Применение математического моделирования к другим методам выращивания кристаллов.
4.1. Анализ теплопереноса при горизонтальной зонной плавке образца
германия
4.1.1. Уравнение кондуктивпого теплопереноса и постановка граничных условий
4.1.2. Результаты расчетов.
4.2. Анализ теплообмена при выращивании алмазной пленки на игольчатых
кремниевых кристаллах.
Литература