СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Пассивные высокоизбирательные акустоэлектронные
приборы частотной селекции с малым уровнем вносимого затухания.
1.1 Методы расчета высокоизбирательных акустоолектронных приборов частотной селекции на ПАВ.
1.2. Анализ встречноштыревых преобразователей ПАВ методом связанных мод.
1.3. Пассивные высокоизбирательные акустоэлектронные
приборы частотной селекции с веерными преобразователями.
1.4. Пассивные высокоизбирательные акустоэлектронные
приборы частотной селекции импедансного типа с малым уровнем вносимого затухания.
1.5. Импедансные канальные фильтры на ПАВ для систем кабельного телевидения.
1.6. Импедансные фильтры ПАВ в качестве фильтров для селекторов каналов гибридных аналога цифровых телевизионных приемников.
1.7. Выводы.
П1. Физические основы работы импедансных фильтров.
2. Пассивные акустоэлектронные приборы радиочастотной идентификации с малым уровнем вносимого затухания.
Введение
2.1. Однонаправленный однофазный преобразователь на основе внутренних отражений поверхностных акустических волн.
2.2. Радиочастотная идентификация с использованием технологии ПАВ.
2.2.1. Анализ принципов формирования кодовых последовательностей РМ на ПАВ.
2.2.2. Дальность действия пассивной РМ микроволновой системы РЧИД
2.3. Конструктивные и топологические решения радиочастотных меток на поверхностных акустических волнах.
2.3.1. Многоканальная радиочастотная метка на поверхностных акустических волнах.
2.3.2. Активная радиочастотная метка на поверхностных акустических волнах с малым энергопотреблением.
2.3.3. Способ кодирования радиочастотной метки на поверхностных акустических волнах.
Выводы.
3. Технологические особенности разработки и производства акустоэлектронных приборов.
3.1. Установки для получения пьезоэлектрических пленок на основе формирования многослойных структур, содержащих пленки бактсриородопсина.
3.1.1. Модернизированная установка магнетронного распыления.
3.1.2. Установка термического осаждения металлов.
3.2. Слоистые структуры алмазоподобный углерод I в устройствах на ПАВ.
3.2.1. Конструкция установки и параметры процесса формирования пленок.
3.2.2. Устройства на поверхностных акустических волнах на слоистых структурах.
3.3. Наноструктурироваиныс пленки 1 и в приборах на поверхностных акустических волнах.
3.3.1. Формирование пленок.
3.3.2. Строение сформированных пленок.
3.3.3. Устройства на поверхностных акустических волнах.
3.4 .Технологические особенности изготовления
микроэлектронных структур акустоэлскфонных приборов на поверхностных акустических волнах.
3.4.1. Очистка подложек при изготовлении акустоэлектронных приборов на поверхностных акустических волнах.
3.4.2. Подгонка частоты радиочастотных меток на поверхностных акустических волнах.
Выводы.
Заключение.
Литература
- Київ+380960830922