- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, Al_x Ga_1-x As и In_x Ga_1-x As на основе математической модели
Тип роботи:
Дис. канд. техн. наук
Рік:
2004
Артикул:
25782 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Градиентная жидкофазная кристаллизация твердых растворов PbSnTe/PbTe с применением системы цифровой обработки сигналов
- Исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик приборов и оборудования для высокоточных температурных технологий
- Получение и дилатометрическое исследование халькогенидных полупроводниковых стеклообразных материалов AsxS1-x, AsxSe1-x, GexSe1-x в широком интервале температур
- Разработка и исследование устройств с бесконтактным магнитным взаимодействием и минимальным дестабилизирующим воздействием на вакуумную среду оборудования высоких технологий
- Синтез, структура и свойства кристаллов ZrO2, частично стабилизированных Y2O3
- Технология структур карбид кремния - кремний для приборов микроэлектроники и микросистемной техники
- Выращивание и некоторые свойства кристаллов розового фосфорсодежащего кварца
- Микроструктура и свойства тонких пленок аморфного гидрогенизированного сплава кремния с углеродом
- Выращивание и исследование легированных монокристаллов ниобата бария-стронция
- Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства