- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, Al_x Ga_1-x As и In_x Ga_1-x As на основе математической модели
Тип работы:
Дис. канд. техн. наук
Год:
2004
Артикул:
25782 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Формирование многокомпонентных твердых растворов GaSb<Bi> и GaInSb<Bi> для инжекционных излучателей ИК-диапазона
- Исследование кристаллогенезиса полупроводников A^III B^V из висмутсодержащих расплавов (На примере InSbBi, AlInSbBi)
- Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии
- Разработка технологии формирования и исследование протонообменных световодных структур в конгруэнтных и легированных оксидом магния кристаллах ниобата лития
- Экспериментальное исследование бесконтактного формирования поверхностных наноструктур методом сканирующей туннельной микроскопии
- Получение и свойства стеклообразных полупроводниковых материалов в системах Ge-S-Br и Ge-Se-Br
- Процессы электрохимического формирования твердотельных наноструктур
- Получение углеродных нанотрубок и армированных керамических композитов
- Разработка и исследование наноструктурированных поверхностей полимеров для электроники и медицины
- Разработка технологического метода повышения эксплуатационных показателей нелинейных преобразователей спектра радиосигналов путем применения AlGaAs гетероструктур