Ви є тут

Исследование кристаллогенезиса полупроводников A^III B^V из висмутсодержащих расплавов (На примере InSbBi, AlInSbBi)

Автор: 

Баранник Алексей Анатольевич

Тип роботи: 

Дис. канд. техн. наук

Рік: 

2003

Артикул:

25795

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Электрофизические и оптоэлектронные свойства гетероструктур на основе a-Si:H и его сплавов
• Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента
• Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок a-Si: H и сплавов на его основе
• Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров
• Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах
• Оптимизация активных элементов датчиков, использующих эффект гигантского комбинационного рассеяния
• Разработка технологии получения слоев политетрафторэтилена химическим осаждением из газовой фазы
• Синтез и исследование лазерных кристаллов Mg2SiO4:Cr с контролируемым валентным состоянием и структурной локализацией ионов хрома
• Разработка и исследование гетероструктур InP/InGaAsP для систем волоконно-оптических линий связи и промышленной технологии их производства
• Исследование процессов локально-селективной обработки материалов и элементов электронной техники наноразмерным ионным пучком