Фотопроводимость и плотность состояний в a-Si: H и сплавах на его основе

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
ГЛАВА 1. Особенности структуры и электрофизических свойств аБг.Н.
1.1. Основные особенности свойств и область применения а
1.2. Модели энергетических состояний в неупорядоченных полупроводниках и методы определения энергетического распределения плотности состояний в щели по подвижности аморфного полупроводника.
1.2.1. ЭПР и светоиндуцированный ЭПР.
1.2.2. Оптические методы исследований.
1.3. Существующие подходы к определению плотности
состояний по данным фотопроводимости.
1.3.1. Статистика неравновесных носителей заряда в аморфных полупроводниках.
1.3.2. Расчет плотности локализованных состояний по
данным измерения фотопроводимости.
1.3.3. Методика моделирования Шена и Вагнера. Щ
1.3.4. Методика моделирования МакМахона и Кси.
1.3.5. Методика моделирования Моргадо.
1.3.6. Методика моделирования Трана.
Выводы по главе 1.
Глава 2. Методика исследования оптических и электрофизических свойств аБкН и сплавов на его основе.
2.1. Особенность получения пленок в низкочастотной плазме тлеющего разряда кГц.
2.1.1. Оборудование для осаждения слоев аБкН в плазме
низкочастотного кГц тлеющего разряда.
2.2. Методы исследования структуры и электрофизических
свойств аБкН.
2.2.1. Вторичная ионная массспектрометрия ВИМС.
2.2.2. Рентгеновский микрозондовый анализ РМА.
2.2.3. Метод обратного рассеяния Резерфорда ОРР. Щ
2.2.4. ИКспектроскопия.
2.2.5. Определение оптических констант тонких пленок
i по спектрам оптического пропускания.
2.2.6. Метод постоянного фототока.
2.2.7. Электронный парамагнитный резонанс и состояния дефектов в i.
2.3. Методика измерения фотопроводимости.
2.4. Выводы по главе 2.
Г лава 3 Методика моделирования и природа локализованных состояний собственного i.
3.1. Моделирование фотопроводимости и природа глубоких состояний в i.
3.1.1. Результаты моделирования фотопроводимости с использованием существующих методик.
3.1.2. Природа глубоких состояний и парамагнитные центры
в i.
3.2. Моделирование фотопроводимости с учетом прыжкового транспорта носителей заряда на локализованных состояниях
хвостов зон. 6ф
3.3. Природа локализованных состояний в собственном аморфном гидрогенизированном кремнии.
3.5. Выводы по главе 3.
Глава 4. Фотопроводимость и плотность состояний в i.
4.1. Особенности процесса получения и микроструктура пленок i.
4.1.1. Химический состав и скорость роста пленок i, полученных методом НЧ тлеющего разряда.
4.1.2. Особенности микроструктуры пленок i,
полученных методом НЧ тлеющего разряда
4.2. Оптические и электрофизические свойства а6еН.
4.3. Моделирование фотопроводимости и природа локализованных состояний в аСеН.
4.4 Выводы по главе 4.
Глава 5. Фотопроводимость и плотность состояний в аБГС.Н 9
5.1. Особенности процесса получения и микроструктура пленок а8ЮН.
5.1.1. Химический состав и скорость роста пленок а8ЮН, полученных методом НЧ тлеющего разряда.
5.1.2. Особенности микроструктуры пленок аБЮ.Н, полученных методом НЧ тлеющего разряда.
5.2. Оптические и электрофизические свойства аБЮН.
5.3. Моделирование фотопроводимости и природа локализованных состояний в аБЮ.Н. 5
5.4. Выводы по главе 5.
Основные результаты и выводы.
Литература