Ви є тут

Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs

Автор: 

Пономарев Дмитрий Сергеевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2012

Артикул:

340758

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Сверхвысокочастотные свойства композитов на основе диэлектрических матриц с включениями в виде углеродных нанотрубок, частиц мелкодисперсного графита и ферритовых микрочастиц
• Разработка технологии КМОП ИС на структурах КНД
• Фотолюминесценция, спектры возбуждения и кинетика излучательной релаксации в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием
• Аналого-цифровые преобразователи конвейерного типа с пониженной потребляемой мощностью
• Структурные и физические свойства пленок SiCx и SnOx, синтезированных различными методами
• Разработка и исследование технологии получения лейкосапфира для электронной техники
• Многослойные структуры на эффекте сильного поля в сегнетоэлектрических пленках
• Локальная диагностика объектов микро-, нано- и оптоэлектроники в вакууме, газе и жидкости методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии
• Разработка и исследование эмиссионной среды для твердотельного автоэмиссионного диода на основе гетероструктуры кремний/алмаз
• Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах