Многослойные структуры на эффекте сильного поля в сегнетоэлектрических пленках

СОДЕРЖАНИЕ
ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ВВЕДЕНИЕ
1. ПЛАНАРНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ЭФФЕКТЕ СИЛЬНОГО УПРАВЛЯЮЩЕГО ПОЛЯ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ
ПЛЕНКЕ
1.1 Электрически управляемые компоненты СВЧ электроники
на сегнетоэлектриках.
1.2 Критерий сильного электрического поля
для виртуального сегнетоэлектрика
1.3 Распределение электрического ноля в планарных конденсаторах
1.4 Структурные характеристики пленок титаната стронция на сапфире
1.5 Нелинейные свойства конденсаторов с СЭ пленкой
в высокотемпературной Г Тс области
Выводы по главе
2. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ СЭ ПЛЕНКИ
В СОСТАВЕ МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЫ
2.1. Диагностика проницаемости пленочного сегнетоэлектрика
в составе планарного конденсатора
2.2. Двукратное изменение электрическим полем диэлектрической проницаемости виртуального сегнетоэлектрика
2.3. Температурное поведение проницаемости пленочных
образцов титаната стронция
2.4. Рекристаллизация СЭ пленки и ее
диэлектрическая проницаемость
2.5. Экстремальное поведение производной от обратной проницаемости
пленок вгТЮз в режиме заданной поляризации
2.6. Электрострикционная поправка к диэлектрической проницаемости
СЭ пленки в многослойной структуре
Выводы по главе
3. РЕЛАКСАЦИЯ ЗАРЯДА В МДМ СТРУКТУРАХ
НА ТИТАНАТЕ СТРОНЦИЯ
3.1. Электропроводность МДМ структур
на основе высокоомных кристаллов
3.2. Параметры контакта металл титанат стронция
3.3. Остаточное электрическое поле в 8гТ.
Электрокалорическое исследование
3.4. Диагностика остаточного поля методом
электронпозитронной спектроскопии
3.5. Релаксация емкости при саморазряде
СЭ планарного конденсатора
3.6. Индуцированное электрическим полем необратимое
изменение свойств планарного конденсатора
Выводы по главе
4. ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ СВОЙСТВА МНОГОСЛОЙНЫХ
СТРУКТУР С СЭ ПЛЕНКОЙ И ИХ ПРИМЕНЕИЕ
4.1. Диэлектрические потери в сегнетоэлектриках
со структурой перовскита
4.2. Избыточные потери в электродах планарного конденсатора
с сегнетоэлектрической пленкой
4.3. Технические характеристики варактора на пленке БгТЮз
для СВЧ приложений
4.4. Управляемые СВЧ устройства с варакторами на эффекте
сильного поля в пленке титаната стронция
4.4.1. Фазовращатель на основе нагруженной микрополосковой линии
4.4.2. 0 градусный ФВ дециметрового диапазона
4.4.3. Четырехзвенный полоснопропускающий фильтр сантиметрового диапазона
4.4.4. Перестраиваемый полоснопропускающий фильтр сантиметрового диапазона на кольцевых резонаторах
4.5. Электрический способ получения температурностабильной
характеристики перестраиваемого СВЧ устройства с СЭ элементами 8 Выводы по главе
ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА