- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
340769 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Методы построения источников опорного напряжения в составе интегральных микросхем
- Исследование тонкопленочных нанокомпозитов сегнетоэлектрик-полупроводник для оптоэлектронных применений
- Структурные и оптические свойства нанометровых модулированно-легированных гетероструктур с квантовыми точками в системе InAs/GaAs
- Кинетические явления в структурах на основе графена и его модификаций
- Разработка технологии изготовления и исследование сенсорных элементов на основе полиакрилонитрила и соединений меди
- Проектирование высокоинтегрированных программируемых логических интегральных схем по субмикронным проектным нормам
- Разработка диэлектрических покрытий для повышения функциональных и эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
- Аналого-цифровые преобразователи конвейерного типа с пониженной потребляемой мощностью
- Создание многокристальных модулей с использованием групповой технологии формирования межэлементных соединений
- Анализ отказов и разработка технических мероприятий по повышению надежности СВЧ твердотельных модулей для радиолокационных станций