- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP
Тип работы:
Кандидатская
Год:
2013
Артикул:
340769 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Математическое моделирование процесса осаждения нитрида кремния из дихлоросилана и аммиака
- Методы построения источников опорного напряжения в составе интегральных микросхем
- Микроэлектронный и оптоэлектронный принципы построения полупроводникового преобразователя частоты сверхвысокочастотного диапазона
- Разработка и исследование технологических основ формирования легированных анодных пленок диоксида кремния
- Исследование тонкопленочных нанокомпозитов сегнетоэлектрик-полупроводник для оптоэлектронных применений
- Структура и электронные характеристики пиролизованного полиакрилонитрила
- Математическая модель мощных СВЧ полевых транзисторов для систем автоматизированного проектирования электронных устройств в многочастотных режимах
- Исследование и разработка методов моделирования для управления технологическими процессами компьютерно-интегрированного производства СБИС
- Универсальный нейросетевой ускоритель для решения задач искусственного интеллекта
- Методы зондовой диагностики микроструктур