- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Изучение кинетических процессов в твердых растворах полупроводников А3В5 численными методами
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1984
Артикул:
452759 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания
- Влияние сильного электрического поля на электронные процессы в пленках g-As2Se3
- Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами
- Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
- Деградационные процессы и низкочастотный шум в полупроводниковых светоизлучающих структурах
- Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников
- Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi
- Особенности магнитной восприимчивости чистых и легированных узкощелевых полупроводников Pb1-x Snx Te, PbSe
- Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур InxAlyGa1-x-yAs/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники