- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптическое поглощение на экситонах, связанных на изоэлектронных ловушках азота и висмута в фосфиде галлия
Тип роботи:
ил РГБ ОД 61
Рік:
1683
Артикул:
7548 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe
- Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств
- Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
- Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка
- Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
- Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия
- Особенности электронного строения аморфных пленок кремния и карбидов кремния
- Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции
- Особенности внутрикристаллического строения монокристаллов твердых растворов висмута с элементами IV и VI групп таблицы Д. И. Менделеева
- Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона