Ви є тут

Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x

Автор: 

Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат

Тип роботи: 

диссертация кандидата физико-математических наук

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

148

Артикул:

1000296692

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v
• Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя
• Радиационная деградация функционирования кольцевых структур в кремниевых детекторах ядерных излучений
• Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках МЛЭ p-CdxHg1-xTe
• Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями
• Оптические свойства анизотропных кремниевых структур
• Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs
• Энергетическая структура макромолекул и наноструктур
• Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2
• Накопление дефектов в облучаемом ионами кремнии при пониженной плотности каскадов смещений