ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 4 с гр.
ГЛАВА I ПРИРОДА И ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ В СОЕДИНЕНИЯХ А2В6. ВЛИЯНИЕ УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ, обзор.
1.1 Природа и характеристические параметры центров с
глубокими уровнями в соединениях А2В6 .
1.1.1. Энергетический спектр электронных состояний в соединениях
1.1.2 Центры прилипания .
1.1.3 Центры рекомбинации .
1.2 Влияние упругих деформаций на энергетический спектр
электронных состояний
1.2.1 Влияние одноосного давления .
1.2.2 Влияние ультразвука
ГЛАВА И МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1 Характеристика исследованных образцов
2.2 Экспериментальная установка
2.3 Методика эксперимента .
ГЛАВ А III ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО 1 ЮЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ЗАРЯДА МИКРО, НАНОКРИСТАЛЛОВ гпБ, ХпО НА СЕЧЕНИЯ ЗАХВАТА ЭЛЕКТРОННЫХ ЦЕНТРОВ ПРИЛИПАНИЯ 3.1 Термолюминесцентные свойства микро, ианокристаллов на основе сульфида и оксида цинка. Характеристические
параметры электронных ЦП
3.2 Объяснение термолюминесцентных свойств микро, нанокристаллов на основе сульфида и оксида цинка.
3.3 Диагностика концентрационного распределении атомов ЦП
в объеме микро, нанокристаллов на основе ХпЭ, .
3.4 Эффект ГуддснаПуля в микрокристаллах сульфида цинка .
3.4.1 Экспериментальные данные.
3.4.2 Интерпретация экспериментальных данных
ВЫВОДЫ
Г Л А В А IV ВЛИЯНИЕ УПРУГОЙ ДЕФОРМА ЩИ А ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЦЕНТРОВ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ
В МОНОКРИСТАЛЛАХ СУЛЬФИДА И СЕЛЕНИДА ЦИНКА 4.1 Влияние одноосного давления на энергетический спектр
центров излучатсльной рекомбинации.
4.2 Влияние ультразвуковой обработки на энергетический
спектр электронных состояний в монокристаллах ,
4.2.1 Методика эксперимента
4.2.2 Влияние ультразвуковой обработки на энергетический спектр электронных ЦП в монокристаллах 2п
4.2.3 Влияние ультразвуковой обработки на фотоэлектрические и люминесцентные свойства монокристаллов
ВЫВОДЫ
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922