- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Внутризонные инверсии населенности и поглощение излучения среднего инфракрасного диапазона в квантовых ямах на основе соединений AIIIBV
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2006
Кількість сторінок:
153
Артикул:
7310 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
- Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния
- Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN
- Исследование многослойных футочувствительных структур на основе эпитаксиальных слоев ZnTe и CdSe
- Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения
- Структуры металл - диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия
- Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой
- Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами
- Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления
- Электронный транспорт в GaAs структурах при радиационном воздействии