- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Внутризонные инверсии населенности и поглощение излучения среднего инфракрасного диапазона в квантовых ямах на основе соединений AIIIBV
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2006
Кількість сторінок:
153
Артикул:
7310 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: λ =0,78 - 1,3 мкм
- Спонтанное формирование полупроводниковых наноструктур
- Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N
- Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками
- Полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона, работающие на модах шепчущей галереи
- Исследование физической природы гетеропереходов органический-неорганический полупроводник и их применение
- Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств
- Исследование структуры поверхности кремния по оптическому отражению
- Фазовые переходы в комплексных фторидных соединениях сурьмы
- Термо- и фотостимулированные процессы в системах полупроводник - металл, полупроводник - органическая среда