Ви є тут

Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si

Автор: 

Смагина Жанна Викторовна

Тип роботи: 

диссертация кандидата физико-математических наук

Рік: 

2008

Артикул:

7226

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Кинетика ударной ионизации мелких примесных центров и экситонов в германии
• Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя
• Исследование структуры частиц веществ наноразмерной дисперсности
• Оптические свойства слоев и гетероструктур на основе нитридов III группы
• Оптические, электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия
• Полупроводниковые InGaAsP/InP ( ? =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями
• Роль морфологии в формировании электронных спектров, оптических и электрофизических характеристик тонких пленок a-Si: Н, а-С: Н и а-Si1-x Cx : Н
• Центри люмінесценції у фосфорах на основі йодидів і бромідів цезію, активованих іонами талію, європію та міді
• Влияние деформации на зарядовое упорядочение в кристаллах
• Поляризационно-селективные свойства четырехслойных оптических диэлектрических волноводов