- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2008
Артикул:
7226 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование фотосенсибилизированной генерации синглетного кислорода в ансамблях кремниевых нанокристаллов
- Высокочастотная фотопроводимость примесного германия в инфакрасной области спектра
- Оптические исследования тонких пленок молекулярных органических полупроводников фталоцианинового ряда
- Теория фазовых переходов в неоднородные состояния, обусловленных кулоновским взаимодействием, в полупроводниках и сегнетоэлектриках
- Температурная зависимость теплоемкости твердых растворов системы арсенид галлия - фосфид индия - арсенид индия в области 5 - 300 К.
- Энергетическая структура многоэлектронных атомов
- Влияние структурных особенностей на физические свойства редкоземельных полупроводников на основе сульфида самария
- Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении
- Образование и свойства электрически активных кислородосодержащих дефектов в термообработанных и облученных кристаллах германия
- Трехканальный детектор на основе РОС гетеролазеров InGaAs для мониторинга