- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2008
Артикул:
7226 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой
- Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров
- Транспорт носителей заряда в проводящих полимерах вблизи перехода металл-диэлектрик
- Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе
- Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP
- Исследование легированных монокристаллов CdCr2Se4 и создание на их основе поверхностно-барьерных структур типа шоттки
- Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A III B V для селективных фотоприемников
- Особенности магнитной восприимчивости чистых и легированных узкощелевых полупроводников Pb1-x Snx Te, PbSe
- Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений
- Применение методов фотоэлектронной эмиссии на краях рентгеновского поглощения для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков