- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2011
Кількість сторінок:
70
Артикул:
137965 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами
- Оптические свойства и структура аморфного углерода
- Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе
- Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
- Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях
- Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
- Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков
- Гистерезисные и автоволновые явления в полупроводниковом интерферометре Фабри-Перо с термооптической нелинейностью
- Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами
- Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями