- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2011
Кількість сторінок:
70
Артикул:
137965 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs
- Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе ?-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда
- Физико-математические модели многопараметровых электроемкостных систем для исследования диэлектриков
- Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания
- Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H
- Магнитные свойства и проводимость кристаллов группы флюорита, содержащих ЯН-теллеровские комплексы примесных d-ионов
- Рост и дефектообразование монокристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ
- Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе
- Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния
- Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта \"усталости\" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках