СОДЕРЖАНИЕ
ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
1. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ
ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ Хп8Мп
1.1. Структура и параметры тонкопленочных электролюминесцентных излучателей
1.2. Основные характеристики ТП ЭЛИ.
1.3. Физические процессы, протекающие в ТП ЭЛИ
1.4. Глубокие центры в сульфиде цинка, легированном марганцем
1.5.Вывод ы
2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССОВ ТУННЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И УДАРНОЙ ИОНИЗАЦИИ В
Т ЭЛИ НА ОСНОВЕ ХпЪМп
2.1. Методика определении основных характеристик туннелировании и ударной ионизацин в ТП ЭЛИ на основе
2.2. Уточнение методики определения основных характеристик туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ на основе Хп8Мп
2.3. Анализ методической погрешности определения основных характеристик туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ на основе 2п8Мп
2.4.Вывод ы
3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ УСЛОВИЙ ВОЗБУЖДЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТУННЕЛИРОВАНИЯ И УДАРНОЙ ИОНИЗАЦИИ
В ТП ЭЛИ НА ОСНОВЕ п8Мп
3.1. Описание исследуемых образцов и эксперимента
3.2. Экспериментальное исследование характеристик туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных
излучателях
3.3 Экспериментальное исследование характеристик туннелировании и
ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных
излучателях с использованием уточненной методики
3.4.Выволы
4. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ДИЭЛЕКТРИК ПОЛУПРОВОДНИК В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЯХ НА ОСНОВЕ гпМп
4.1. Методика определения основных характеристик поверхностных состояний на катодной границе раздела диэлектрикполупроводник
4.2. Экспериментальное исследование основных характеристик поверхностных состояний на катодной границе раздела
диэлектрикполупроводник
4.3.Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922