Ви є тут

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной

Автор: 

Шамирзаев Тимур Сезгирович

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

2012

Артикул:

325000

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода
• Дырочные состояния в кубических полупроводниках и в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах
• Исследование эффектов анизотропии электронно-ядерных взаимодействий в диэлектрических кристаллах
• Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов (AgInTe/2)/x (2HgTe)/1-x
• Изучение низкоразмерных структур металлов (Au, In и Mn) на поверхности кремния
• Механизмы стабилизации фотолюминесценции квантоворазмерных структур на основе кремния и карбида кремния
• Создание элементов квантового аналога КМОП-транзистора
• Реальная структура мозаичных кристаллов в системе Ge-Si и условия ее возникновения
• Особенности микродефектов в нестехиометрических монокристаллах GaAs и GaP, выявляемые рентгеноструктурными методами
• Асимметричные гетероструктуры со сверхтолстым волноводом и мощные полупроводниковые лазеры с малыми внутренними потерями на их основе