- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2012
Артикул:
325000 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Особенности концентрационных профилей при неизотермической диффузии в полупроводниках
- Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением
- Электронная микроскопия полупроводниковых структур с наноразмерными включениями
- Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии
- Перенос заряда в системе квантовых точек германия в кремнии
- Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN)
- Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr
- Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
- Особенности структуры и колебательные спектры силленитов
- Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений AIIIBV, полученные методом реактивного ионного травления