- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2012
Артикул:
325000 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки
- Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
- Применение методов фотоэлектронной эмиссии на краях рентгеновского поглощения для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков
- Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур
- Проявление электрон-фононного взаимодействия в квантово-размерных структурах
- Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния
- Создание и исследование твердых растворов GaInAsSb и оптоэлектронных приборов на их основе
- Изменения оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников системы мышьяк-селен, стимулированные внешними воздействиями
- Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур
- Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации