- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2012
Артикул:
325000 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах
- Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур InxAlyGa1-x-yAs/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники
- Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона
- Спиновая динамика связанной электронно-ядерной системы в квантовых точках
- Особенности электрических и термоэлектрических свойств моносульфида самария, связанные с переменной валентностью ионов самария
- Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Исследование особенностей получения и свойств пленок оксида цинка и железа
- Электрические и фотоэлектрические эффекты в кристаллах CdS, связанные с наличием подвижных и метастабильных центров
- Особенности взаимодействия мощных ультракоротких лазерных импульсов с экситонами в квантовых нитях и точках
- Интегральное поглощение как функция отклика экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах, твердых растворах и множественных квантовых ямах