Применение методов фотоэлектронной эмиссии на краях рентгеновского поглощения для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВНКДК 1И 1 Ц Ц Ц . цц .щ ц ц ц Ч1Ч.1Ы м м ччшччтчт ц ЧЧЧИЧЧ
ГЛАВА 1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЯВЛЕНИЯ ЭМИССИИ ЭЛЕКТРОНОВ, ВОЗБУЖДАЕМОЙ РЕНТГЕНОВСКИМ ИЗЛУЧЕНИЕМ.
1.1. Анализ основных процессов, составляющие явление.
. Особенности эмиссии на краях поглощения рентгеновского излучения.
1.3. Вывод Iювой функции выхода электронов
1.4. Моделирование квантового выхода эмиссии электронов, возбуждаемой рентгеновским излучением.
1.5. Выводы.
ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕН ТАЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
2.1. Функциональная схема .
2.2. Оптическая схема..
2.3. Расчет разрешения по энергии возбуждающих рентгеновских фотонов.
2.4. Измерение основных характеристик спектрометра
2.5. Выводы .
ГЛАВА 3. МЕТОДИКИ И ЭКСПЕРИМЕНТ.
3.1. ЭКСПЕРИМЕПАЛЫ 1Ь1Е МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР
твердотельной электроники.
3.2. Исследование фотоэлектронной эмиссии из объемных полупроводников Се и
3.3. Исследование гетероструктур АСаАз
3.4. Исследование структур АьСе с тонким верхним слоем им. .
3.5. Исследование профилей состава в СаАб, образующихся при бомбардировке ионами А1
3.6. Исследование ТЮ2 и твердых растворов ТКхИВхОг.
3.6. Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА