Содержание.
Название стр.
Введение .
Глава I. Мощные одиомодовые лазерные диоды на базе ЬваАзР
1пОаРОаАз и 1пОаА8АЮаАзСаА5 гстсроструктур
1.1 Обзор литературных данных по одномодовым лазерам на
базе гетероструктур на подложках ваЛз.
1.1.1 Развитие полупроводниковых лазеров
1.1.2 Мощные одномодовые лазерные диоды.
1.1.3 Зарощенная мезаполосковая конструкция одномодовых гетеролазеров
1.1.4 Конструкция лазерных диодов типа мелкая меза
1.2 Исследование лазерных диодов типа зарощенная меза на
основе пОаАвРОаАзгетероструктур раздельного ограничения
1.2.1 Зависимость картины дальнего поля излучения от температуры зарощенного лазера.
1.2.2 Модель двумерного плоского волновода
1.2.3 Роль граничной рекомбинации.
1.2.4 Метод узкого контакта.
1.2.5 Выводы
1.3 Исследование одномодовых лазерных диодов типа мелкая
меза на основе ТпСаАзАЮаАзСаАвгехеросфуюур раздельного ограничения
1.3.1 Мощные одномодовые лазеры на основе гетеросгруктур,
выращенных методом металлоорганической эпитаксии.
1.3.2 Эффект развала спектра и нелинейное межмодовое взаимодействие.
Выводы
Мощные лазеры на основе 1пОаЛ5АЮаА5ОаА
гетероструктур X 1 мкм
Направления развития и достигнутые результаты в области
мощных лазеров с кЮаЛэ активной областью
Особенности постростовой технологии и новые методики
измерения.
Технологии выращивания гетсроструктур.
Просмотр лазерных чипов и измерение характеристических
температур
Мотаж чипов на теплоотвод.
Нанесение высокоотражающего и антиоражающего
покрытий
Методика термостабилизации лазера в непрерывном
Измерение мощности излучения в непрерывном режиме.
Исследование мощных лазерных диодов с шириной полоска IV 0 мкм на базе пСаАзАЮаАяОаАз гетероструктур. Электрооптические характеристики лСаАБАЮаАБОаАз
гетероструктур
Характеристики и анализ работы сверхвысокомощных
лазеров в непрерывном режиме
Плотность оптической мощности на выходном зеркале.
Деградационные свойства.
Применение пОаАзИ в длинноволновых лазерах на
подложках СаАБ.
Обзор литературных данных.
3.1.1 Проблемы излучателей с длиной волны 1.3 мкм
3.1.2. Полупроводниковые материалы, пригодные для создания
лазеров с длиной волны излучения 1.3 мкм.
3.1.3. Азотосодержащие длинноволновые лазерные диоды.
3.1.4. Развитие технологии эпитаксии ОаАяЫ и 1пОаАЫ слоев на
подложках ОаАя.
3.2 Особенности технологии роста 1пСаАМОаАяЬ1ОаАз
гетсроструктур.
3.2.1. Параметры роста СлАбИ слоев на подложке ваАв.
3.2.2. Оптимизация роста 1пОаА8Ы квантовых ям.
3.3 Лазеры на базе 1пСаА8ЫАЮаА8ОаА8 гегерострукгур
3.3.1. Лазерные характеристики ЫОаАзМАЮаАвОаАя
гетероструктур.
3.3.2. Температурные характеристики МЗаАБЫУАЮаАБСаАз
лазеров
3.3.2. Характеристики мощных У0мкм лазеров на базе
ЛЮаАзНАЮаАзОаАз гетеросгруктур.
3.4. Выводы.
Основные результаты диссертационной работы.
Публикации автора
Список легирован ной литературы
Введение.
Актуальность
- Київ+380960830922